[發(fā)明專利]存儲器裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010527845.1
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112349724A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 尹敬和;郭判碩;金燦鎬;姜東求
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;G11C8/14
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：外圍電路區(qū)域，包括第一基底和位于第一基底上的電路元件，電路元件包括行解碼器；單元陣列區(qū)域，包括字線和溝道結(jié)構(gòu)，字線堆疊在外圍電路區(qū)域上的第二基底上，溝道結(jié)構(gòu)在與第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字線；以及單元接觸區(qū)域，包括單元接觸件，單元接觸件連接到字線并位于單元陣列區(qū)域的在與第二基底的上表面平行的第一方向上的兩側(cè)上，單元接觸區(qū)域包括第一單元接觸區(qū)域和第二單元接觸區(qū)域，第一單元接觸區(qū)域和第二單元接觸區(qū)域在第一方向上具有彼此不同的長度。

本申請要求于2019年8月6日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0095526號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)的權(quán)益，該韓國專利申請的公開通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及存儲器裝置。

背景技術(shù)

存儲器裝置可以提供寫入數(shù)據(jù)和擦除數(shù)據(jù)或者讀取寫入的數(shù)據(jù)的功能。存儲器裝置可以被分類為非易失性存儲器裝置和易失性存儲器裝置。即使當(dāng)非易失性存儲器裝置的電源被中斷時，非易失性存儲器裝置也保留其存儲的數(shù)據(jù)。存儲器裝置所需的數(shù)據(jù)存儲容量趨于增加。因此，已經(jīng)提出各種方法以增加存儲器裝置的集成密度。

發(fā)明內(nèi)容

示例實(shí)施例提供了一種存儲器裝置，所述存儲器裝置的集成密度通過將包括在存儲器裝置中的單元區(qū)域形成為在與基底的上表面平行的方向之中的至少一個方向上不對稱而增加。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，一種存儲器裝置包括：外圍電路區(qū)域，包括第一基底和位于第一基底上的電路元件，電路元件包括行解碼器；單元陣列區(qū)域，包括字線和溝道結(jié)構(gòu)，字線堆疊在外圍電路區(qū)域上的第二基底上，溝道結(jié)構(gòu)在與第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿透字線；以及單元接觸區(qū)域，包括單元接觸件，單元接觸件連接到字線并位于單元陣列區(qū)域的在與第二基底的上表面平行的第一方向上的兩側(cè)上，單元接觸件包括第一單元接觸區(qū)域和第二單元接觸區(qū)域，第一單元接觸區(qū)域和第二單元接觸區(qū)域在第一方向上具有彼此不同的長度。第一單元接觸區(qū)域和第二單元接觸區(qū)域中的每個包括在第一方向上具有彼此不同的長度的第一墊以及與第一墊不同的第二墊，并且單元接觸件在第一墊中連接到字線。包括在第一單元接觸區(qū)域中的第二墊的數(shù)量比包括在第二單元接觸區(qū)域中的第二墊的數(shù)量大。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，一種存儲器裝置包括：外圍電路區(qū)域，包括位于第一基底上的傳輸元件；以及多個單元區(qū)域，位于外圍電路區(qū)域上方的第二基底上，多個單元區(qū)域中的每個包括至少一個存儲器塊。多個單元區(qū)域中的每個包括單元陣列區(qū)域和單元連接區(qū)域，在單元陣列區(qū)域中，多條字線連接到傳輸元件并且多個溝道結(jié)構(gòu)穿透字線，在單元連接區(qū)域中，從單元陣列區(qū)域延伸的字線連接到多個單元接觸件。傳輸元件中的至少一個公共地連接到包括在單元接觸件之中的彼此相鄰的一對單元區(qū)域中的一對字線，并且所述一對字線位于距第二基底的上表面相同的水平上。

根據(jù)一些示例實(shí)施例，一種存儲器裝置包括：外圍電路區(qū)域，包括傳輸元件；以及多個單元區(qū)域，多個單元區(qū)域中的每個包括單元陣列區(qū)域，單元陣列區(qū)域包括堆疊在外圍電路區(qū)域上方的基底上的字線和穿透字線的溝道結(jié)構(gòu)。多個單元區(qū)域中的每個包括在與基底的上表面平行的第一方向上彼此相鄰的第一單元區(qū)域和第二單元區(qū)域以及在第一方向上彼此相鄰的第三單元區(qū)域和第四單元區(qū)域。第一單元區(qū)域的單元陣列區(qū)域和第二單元區(qū)域的單元陣列區(qū)域之間的距離不同于第三單元區(qū)域的單元陣列區(qū)域和第四單元區(qū)域的單元陣列區(qū)域之間的距離。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述，將更清楚地理解本公開的上面的和其它的方面、特征和優(yōu)點(diǎn)，在附圖中：

圖1和圖2是根據(jù)一些示例實(shí)施例的存儲器裝置的示意圖；

圖3和圖4示出了根據(jù)一些示例實(shí)施例的存儲器裝置中的存儲器單元陣列與傳輸元件(pass element)之間的連接關(guān)系；

圖5是根據(jù)一些示例實(shí)施例的存儲器裝置的示意性平面圖；