[發明專利]存儲器裝置

在審

• 申請號: 202010527845.1
• 申請日: 2020-06-11
• 公開（公告）號: CN112349724A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 尹敬和;郭判碩;金燦鎬;姜東求
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11529
• 分類號: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582;G11C8/14
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

1.一種存儲器裝置，所述存儲器裝置包括：

外圍電路區域，包括第一基底和位于所述第一基底上的電路元件，所述電路元件包括行解碼器；

單元陣列區域，包括：字線，堆疊在所述外圍電路區域上的第二基底上；以及溝道結構，在與所述第二基底的上表面垂直的方向上延伸并穿過所述字線；以及

單元接觸區域，包括單元接觸件，所述單元接觸件連接到所述字線且位于所述單元陣列區域的在與所述第二基底的所述上表面平行的第一方向上的兩側上，所述單元接觸區域包括第一單元接觸區域和第二單元接觸區域，所述第一單元接觸區域和所述第二單元接觸區域在所述第一方向上具有彼此不同的長度，

其中，所述第一單元接觸區域和所述第二單元接觸區域中的每個包括：在所述第一方向上具有彼此不同的長度的第一墊和第二墊，所述第二墊與所述第一墊不同，

所述單元接觸件在所述第一墊中連接到所述字線，并且

包括在所述第一單元接觸區域中的所述第二墊的數量比包括在所述第二單元接觸區域中的所述第二墊的數量大。

2.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，在所述第一方向上，所述第一單元接觸區域的長度比所述第二單元接觸區域的長度大。

3.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，包括在所述第一單元接觸區域中的所述第一墊和所述第二墊的面積之和比包括在所述第二單元接觸區域中的所述第一墊和所述第二墊的面積之和大。

4.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，包括在所述第一單元接觸區域中的所述第一墊的數量和所述第二墊的數量之和比包括在所述第二單元接觸區域中的所述第一墊的數量和所述第二墊的數量之和大。

5.根據權利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述行解碼器包括連接到所述字線的第一傳輸元件及第二傳輸元件，并且

所述第一傳輸元件中的每個連接到所述字線中的一條，所述第二傳輸元件中的每個連接到所述字線之中的兩條或更多條字線。

6.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，連接到所述第二傳輸元件中的一個的所述兩條或更多條字線在與所述第二基底的所述上表面垂直的方向上位于相同的高度處。

7.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，所述第二傳輸元件中的至少一個具有大于或等于所述第一傳輸元件中的每個的面積的面積。

8.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，連接到所述第一傳輸元件的所述字線的數量比連接到所述第二傳輸元件的所述字線的數量大。

9.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，連接到所述第一傳輸元件的所述字線中的每條具有比連接到所述第二傳輸元件的所述字線中的每條的電阻高的電阻。

10.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，連接到所述第一傳輸元件的所述字線中的每條具有與連接到所述第二傳輸元件的所述字線中的每條的厚度不同的厚度。

11.根據權利要求5所述的存儲器裝置，其中，所述溝道結構中的每個包括從所述第二基底的所述上表面延伸的下溝道結構以及從所述下溝道結構延伸的上溝道結構，并且

所述字線包括下字線和上字線，所述下溝道結構穿透所述下字線并且所述上溝道結構穿透所述上字線，所述下字線中的至少一條連接到所述第二傳輸元件中的至少一個。

12.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中，所述上字線連接到所述第一傳輸元件。

13.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中，所述上字線中的至少部分具有比所述下字線的厚度高的厚度。

14.根據權利要求11所述的存儲器裝置，其中，所述字線包括在所述下字線和所述上字線之間并且與在所述下溝道結構和所述上溝道結構之間的邊界相鄰的至少一個虛設字線。