[發明專利]用于處理基板的裝置在審
| 申請號: | 202010525555.3 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN112071774A | 公開(公告)日: | 2020-12-11 |
| 發明(設計)人: | 金大城;樸恩雨 | 申請(專利權)人: | 細美事有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 車今智 |
| 地址: | 韓國忠清南道天安*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 處理 裝置 | ||
本發明涉及一種用于處理基板的裝置,其包括:處理容器,在所述處理容器中具有處理空間;基板支承單元,所述基板支承單元支承所述處理空間中的所述基板;以及液體分配單元,所述液體分配單元將處理液體分配到放置在所述基板支承單元上的所述基板上。液體分配單元包括處理液體管,所述處理液體流動通過所述處理液體管;恒溫水管,恒溫水流動通過所述恒溫水管,并且所述恒溫水管圍繞所述處理液體管,其中所述恒溫水將流動通過所述處理液體管的所述處理液體維持在設定溫度;恒溫水供應管,所述恒溫水供應管將所述恒溫水供應至所述恒溫水管;和活化構件,所述活化構件安裝在所述恒溫水供應管中并且活化所述恒溫水中的離子。
相關申請的交叉引用
本發明要求2019年6月11日提交韓國知識產權局的第10-2019-0068587號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的全部內容通過引用整體并入本文。
技術領域
本文描述的發明構思的實施方案涉及一種用于使用液體處理基板的裝置,且更具體地,涉及一種用于將液體分配到基板上的裝置。
背景技術
在基板上執行各種工藝以制造半導體元件。在各種工藝中,在基本工藝中包括在基板上形成圖案的光刻工藝。光刻工藝包括利用諸如光刻膠的光敏液體涂覆基板的涂覆工藝、通過使基板上的光敏液體曝光以形成圖案的曝光工藝以及使圖案顯影的顯影工藝。
在涂覆工藝中將光敏液體施用均勻厚度或設定厚度是非常重要的,并且厚度和均勻性受溫度的影響很大。因此,設置用于均勻地維持或調節光敏液體溫度的恒溫水管,以圍繞光敏液體供應管線,通過該光敏液體供應管線供應光敏液體。
通常,純凈的水用作恒溫水,以節省成本并保持穩定性。然而,純凈水具有腐蝕金屬管的致命缺點,并且金屬管的腐蝕導致恒溫水的泄漏,這導致光敏液體和周圍裝置的污染。
發明內容
本發明構思的實施方案提供一種用于均勻地維持和調節液體溫度的裝置。
此外,本發明構思的實施方案提供一種用于防止管被腐蝕的裝置。
本發明構思的實施方案提供一種用于防止由于由管的腐蝕引起的水泄漏而污染周圍環境的裝置。
根據示例性實施方案,一種用于處理基板的裝置包括:處理容器,在所述處理容器中具有處理空間;基板支承單元,所述基板支承單元支承所述處理空間中的所述基板;以及液體分配單元,所述液體分配單元將處理液體分配到放置在所述基板支承單元上的所述基板上。液體分配單元包括處理液體管,所述處理液體流動通過所述處理液體管;恒溫水管,恒溫水流動通過所述恒溫水管,并且所述恒溫水管圍繞所述處理液體管,其中所述恒溫水將流動通過所述處理液體管的所述處理液體維持在設定溫度;恒溫水供應管,所述恒溫水供應管將所述恒溫水供應至所述恒溫水管;和活化構件(activation member),所述活化構件安裝在所述恒溫水供應管中并且活化所述恒溫水中的離子。
所述恒溫水供應管可以包括上游側供應管,所述上游側供應管連接恒溫水源和所述活化構件;和下游側供應管,所述下游側供應管連接所述恒溫水管和所述活化構件。所述活化構件可以為從所述上游側供應管和所述下游側供應管可拆卸的。所述活化構件可以包括金屬管和鄰近所述金屬管設置的有機管。
所述有機管可以包括:第一有機管,所述第一有機管連接所述上游側供應管和所述金屬管的一端;第二有機管,所述第二有機管連接所述下游側供應管和所述金屬管的相對端。所述第一有機管和所述第二有機管的每個可以具有形成在其中的多個流體通道,所述恒溫水在所述多個流體通道中流動。所述有機管可以具有形成在其中的多個流體通道,所述恒溫水在所述多個流體通道中流動,并且所述金屬管可以具有形成在其中的單個流體通道,所述單個流體通道與所述多個流體通道連接。
所述金屬管可以由包含鋅的材料形成,并且所述第一有機管和所述第二有機管的每個可以由包含碳的材料形成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





