[發明專利]半導體結構及半導體結構的形成方法

在審

• 申請號: 202010525162.2
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN113782602A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 紀世良;肖杏宇;張海洋
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種半導體結構，其特征在于，包括：

襯底；

位于襯底上的第一納米結構和第二納米結構，所述第一納米結構和第二納米結構之間具有第一開口；

位于部分第一開口內的隔離結構；

位于襯底上的介質層，所述介質層位于部分第一開口內、部分第一納米結構側壁和部分第二納米結構側壁，所述介質層內具有第二開口，所述第二開口的延伸方向垂直于所述第一開口的延伸方向，所述第二開口暴露出所述隔離結構。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第二開口還暴露出部分第一納米結構側壁和部分第二納米結構側壁；所述隔離結構位于所述第二開口的底部。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于第二開口內的柵極結構。

4.如權利要求3所述的半導體結構，其特征在于，還包括：位于部分第一納米結構側壁和部分第二納米結構側壁的第一隔離層，所述柵極結構位于所述第一隔離層上。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述第一納米結構包括若干第一納米線，若干所述第一納米線相互分立；所述第二納米結構包括若干第二納米線，若干所述第二納米線相互分立。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離結構的材料與所述介質層的材料不同。

7.如權利要求6所述的半導體結構，其特征在于，所述隔離結構的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。

8.一種半導體結構的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在襯底上形成初始第一納米結構和初始第二納米結構，所述初始第一納米結構和初始第二納米結構之間具有第一開口；

在部分初始第一納米結構上、部分初始第二納米結構上和部分第一開口內形成偽柵極結構，所述偽柵極結構橫跨所述初始第一納米結構和初始第二納米結構；

在襯底上形成介質層，所述介質層位于所述偽柵極結構側壁、初始第一納米結構側壁和初始第二納米結構側壁；

去除所述偽柵極結構，在介質層內形成第二開口，所述第二開口的延伸方向垂直于所述第一開口的延伸方向，所述第二開口底部暴露出部分所述第一開口；

在所述第二開口底部暴露出的部分第一開口內形成隔離結構。

9.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，在所述第二開口底部暴露出的部分第一開口內形成隔離結構的方法包括：在部分所述第一開口內、初始第一納米結構和初始第二納米結構表面形成隔離材料層；去除初始第一納米結構和初始第二納米結構表面的隔離材料層，在部分所述第一開口內形成隔離結構。

10.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，形成所述隔離材料層的工藝包括原子層沉積工藝。

11.如權利要求9所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，去除初始第一納米結構和初始第二納米結構表面的隔離材料層的工藝包括濕法刻蝕工藝。

12.如權利要求8所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離結構的材料與所述介質層的材料不同。

13.如權利要求12所述的半導體結構的形成方法，其特征在于，所述隔離結構的材料包括介電材料，所述介電材料包括氧化硅、氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、氮化鋁、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一種或多種的組合。