[發(fā)明專利]相控陣重復性試驗驗證試塊設計方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010524753.8 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN111735878A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設計)人: | 裴彪;陳亮;尤衛(wèi)宏;張俊杰;張?zhí)旖?/a>;李睿堯;吳員;姜華;徐振;趙明達;閆留青 | 申請(專利權)人: | 中國海洋石油集團有限公司;海洋石油工程股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N29/30 | 分類號: | G01N29/30 |
| 代理公司: | 北京東方靈盾知識產(chǎn)權代理有限公司 11506 | 代理人: | 鄭利華 |
| 地址: | 100010 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 相控陣 重復性 試驗 驗證 設計 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種相控陣重復性試驗驗證試塊設計方法,包括以下步驟:根據(jù)焊縫坡口形式及參數(shù),將焊縫依次分為蓋面區(qū)域、填充區(qū)域和根部區(qū)域;對蓋面區(qū)域、填充區(qū)域和根部區(qū)域分別配置相控陣扇形掃查工藝;對上游填充區(qū)域進行分區(qū),并對各個分區(qū)配置填充上游反射體;對上游的蓋面區(qū)域配置蓋面上游反射體;對下游填充區(qū)域進行分區(qū)并對各個分區(qū)配置填充下游反射體;對下游的蓋面區(qū)域配置蓋面下游反射體;對根部區(qū)域的上游和下游分別配置根部上游反射體和根部下游反射體。本發(fā)明依托相控陣扇形掃查工藝,通過優(yōu)化設計反射體尺寸和角度,使得各個區(qū)域反射體的反射回波在重復性試驗掃查過程中均達到基準靈敏度,從而驗證相控陣檢測系統(tǒng)的可重復性。
技術領域
本發(fā)明涉及無損檢測技術領域,具體而言,特別涉及一種相控陣重復性試驗驗證試塊設計方法。
背景技術
當前,隨著相控陣檢驗技術的發(fā)展,以及相關技術支持標準的逐漸完善,相控陣檢測技術以其高效、環(huán)保、精度高等優(yōu)勢,逐步引起了海洋工程建造領域的重視。越來越多的海洋鋼結(jié)構、工藝管管線和海底管線焊縫的無損檢測開始引入相控陣檢驗技術。
尤其,自2014年以來,海底管道引入子母管的設計,子管通常采用管徑為2英寸的碳鋼海管,常規(guī)射線作業(yè)存在輻射傷害,而海管通用的全自動超聲波檢測技術由于受設備本身工裝限制,無法應用于子管的檢驗。因此,相控陣檢測技術成為解決2寸子管檢驗的最佳技術方案。
然而,根據(jù)項目規(guī)格書要求,應用于海管檢驗的技術必須滿足DNV-OS-F101標準的要求,否則無法實現(xiàn)項目應用。
DNV-OS-F101標準中指出:相控陣檢驗技術需通過系統(tǒng)認證試驗,方可使用。而系統(tǒng)認證試驗中最為基礎的內(nèi)容為:相控陣檢測系統(tǒng)的重復性試驗。重復性試驗要求每次掃查試驗各個分區(qū)反射體回波高度與基準80%FSH相比,不能超過±2dB。而相控陣扇形掃查采用的工藝通常是在一個聚焦法則中激發(fā)40°~70°一組31個角度的超聲波聲束,該聲束進入待檢工件焊縫區(qū)域時,與焊縫坡口(60°)呈現(xiàn)不同角度,因此,常規(guī)試驗驗證試塊,無法滿足各反射體回波達到80%FSH的基準波高,從而導致后續(xù)的相控陣檢測系統(tǒng)認證無法開展。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決現(xiàn)有技術中的上述技術問題之一。有鑒于此,本發(fā)明提供一種依托相控陣扇形掃查工藝,通過優(yōu)化設計反射體尺寸和角度,使得各個區(qū)域反射體的反射回波在重復性試驗掃查過程中均達到基準靈敏度,從而驗證相控陣檢測系統(tǒng)的可重復性的相控陣重復性試驗驗證試塊設計方法。
本發(fā)明提供一種相控陣重復性試驗驗證試塊設計方法,包括以下步驟:
S1、根據(jù)焊縫坡口形式及參數(shù),對焊縫進行分區(qū),依次分為蓋面區(qū)域、填充區(qū)域和根部區(qū)域;
S2、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域分別配置相控陣扇形掃查工藝,明確所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域各自中心區(qū)域的聲束入射角度;
S3、對上游所述填充區(qū)域進行分區(qū),根據(jù)相控陣扇形掃查工藝,對所述填充區(qū)域上游的各個分區(qū)配置填充上游反射體,并設置相應填充上游反射體的類型和角度;
S4、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對上游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面上游反射體;
S5、對下游所述填充區(qū)域進行分區(qū),根據(jù)相控陣扇形掃查工藝,對所述填充區(qū)域上游的各個分區(qū)配置填充下游反射體,并設置相應填充下游反射體的類型和角度;
S6、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對下游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面下游反射體;
S7、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對所述根部區(qū)域的上游和下游分別配置根部上游反射體和根部下游反射體。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施例,步驟S1中,所述蓋面區(qū)域的高度為1mm,所述填充區(qū)域的高度為1.5mm,所述根部區(qū)域的高度為1mm。
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