[發(fā)明專利]相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010524753.8
• 申請(qǐng)日: 2020-06-10
• 公開（公告）號(hào): CN111735878A
• 公開（公告）日: 2020-10-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 裴彪;陳亮;尤衛(wèi)宏;張俊杰;張?zhí)旖?/a>;李睿堯;吳員;姜華;徐振;趙明達(dá);閆留青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國海洋石油集團(tuán)有限公司;海洋石油工程股份有限公司
• 主分類號(hào): G01N29/30
• 分類號(hào): G01N29/30
• 代理公司: 北京東方靈盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11506
• 代理人: 鄭利華

1.一種相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、根據(jù)焊縫坡口形式及參數(shù)，對(duì)焊縫進(jìn)行分區(qū)，依次分為蓋面區(qū)域、填充區(qū)域和根部區(qū)域；

S2、根據(jù)焊縫坡口參數(shù)，對(duì)所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域分別配置相控陣扇形掃查工藝，明確所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域各自中心區(qū)域的聲束入射角度；

S3、對(duì)上游所述填充區(qū)域進(jìn)行分區(qū)，根據(jù)相控陣扇形掃查工藝，對(duì)所述填充區(qū)域上游的各個(gè)分區(qū)配置填充上游反射體，并設(shè)置相應(yīng)填充上游反射體的類型和角度；

S4、根據(jù)焊縫坡口參數(shù)，對(duì)上游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面上游反射體；

S5、對(duì)下游所述填充區(qū)域進(jìn)行分區(qū)，根據(jù)相控陣扇形掃查工藝，對(duì)所述填充區(qū)域上游的各個(gè)分區(qū)配置填充下游反射體，并設(shè)置相應(yīng)填充下游反射體的類型和角度；

S6、根據(jù)焊縫坡口參數(shù)，對(duì)下游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面下游反射體；

S7、根據(jù)焊縫坡口參數(shù)，對(duì)所述根部區(qū)域的上游和下游分別配置根部上游反射體和根部下游反射體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S1中，所述蓋面區(qū)域的高度為1mm，所述填充區(qū)域的高度為1.5mm，所述根部區(qū)域的高度為1mm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S2中所述相控陣扇形掃查工藝包括相控陣聚焦法則和掃查步進(jìn)偏移，其中第一組相控陣扇形掃查工藝激發(fā)的聲束角度范圍為40°～70°，第二組相控陣扇形掃查工藝激發(fā)的聲束角度范圍為54°～75°，所述掃查步進(jìn)偏移為8mm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S3中，上游所述填充區(qū)域分為上游第一填充區(qū)、上游第二填充區(qū)和上游第三填充區(qū)，相與之對(duì)應(yīng)的填充上游反射體為上游第一填充反射體、上游第二填充反射體和上游第三填充反射體。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S4中，所述蓋面上游反射體類型為開口槽，該蓋面上游反射體角度配置為60°，其聲束入射角度為49°，其中開口槽的寬度和深度為1mm，長度為10mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S5中，下游所述填充區(qū)域分為下游第一填充區(qū)、下游第二填充區(qū)和下游第三填充區(qū)，相與之對(duì)應(yīng)的填充下游反射體為下游第一填充反射體、下游第二填充反射體和下游第三填充反射體。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S6中，所述蓋面下游反射體類型為開口槽，該蓋面下游反射體角度配置為90°，其聲束入射角度為49°，其中開口槽的寬度和深度為1mm，長度為10mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，步驟S7中，所述根部上游反射體和所述根部下游反射體類型均為開口槽，且反射體角度配置均為90°，其聲束入射角度均為67°，其中開口槽的寬度和深度為1mm，長度為10mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述上游第一填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為62°，角度配置為52°；所述上游第二填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為56°，角度配置為63°；所述上游第三填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為51°，角度配置為57°。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法，其特征在于，所述下游第一填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為62°，角度配置為55°；所述下游第二填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為56°，角度配置為60°；所述下游第三填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔，該平底孔聲束入射角度為51°，角度配置為55°。