[發(fā)明專利]相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010524753.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111735878A | 公開(公告)日: | 2020-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 裴彪;陳亮;尤衛(wèi)宏;張俊杰;張?zhí)旖?/a>;李睿堯;吳員;姜華;徐振;趙明達(dá);閆留青 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國海洋石油集團(tuán)有限公司;海洋石油工程股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N29/30 | 分類號(hào): | G01N29/30 |
| 代理公司: | 北京東方靈盾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11506 | 代理人: | 鄭利華 |
| 地址: | 100010 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 相控陣 重復(fù)性 試驗(yàn) 驗(yàn)證 設(shè)計(jì) 方法 | ||
1.一種相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、根據(jù)焊縫坡口形式及參數(shù),對(duì)焊縫進(jìn)行分區(qū),依次分為蓋面區(qū)域、填充區(qū)域和根部區(qū)域;
S2、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對(duì)所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域分別配置相控陣扇形掃查工藝,明確所述蓋面區(qū)域、所述填充區(qū)域和所述根部區(qū)域各自中心區(qū)域的聲束入射角度;
S3、對(duì)上游所述填充區(qū)域進(jìn)行分區(qū),根據(jù)相控陣扇形掃查工藝,對(duì)所述填充區(qū)域上游的各個(gè)分區(qū)配置填充上游反射體,并設(shè)置相應(yīng)填充上游反射體的類型和角度;
S4、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對(duì)上游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面上游反射體;
S5、對(duì)下游所述填充區(qū)域進(jìn)行分區(qū),根據(jù)相控陣扇形掃查工藝,對(duì)所述填充區(qū)域上游的各個(gè)分區(qū)配置填充下游反射體,并設(shè)置相應(yīng)填充下游反射體的類型和角度;
S6、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對(duì)下游的所述蓋面區(qū)域配置蓋面下游反射體;
S7、根據(jù)焊縫坡口參數(shù),對(duì)所述根部區(qū)域的上游和下游分別配置根部上游反射體和根部下游反射體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S1中,所述蓋面區(qū)域的高度為1mm,所述填充區(qū)域的高度為1.5mm,所述根部區(qū)域的高度為1mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S2中所述相控陣扇形掃查工藝包括相控陣聚焦法則和掃查步進(jìn)偏移,其中第一組相控陣扇形掃查工藝激發(fā)的聲束角度范圍為40°~70°,第二組相控陣扇形掃查工藝激發(fā)的聲束角度范圍為54°~75°,所述掃查步進(jìn)偏移為8mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S3中,上游所述填充區(qū)域分為上游第一填充區(qū)、上游第二填充區(qū)和上游第三填充區(qū),相與之對(duì)應(yīng)的填充上游反射體為上游第一填充反射體、上游第二填充反射體和上游第三填充反射體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S4中,所述蓋面上游反射體類型為開口槽,該蓋面上游反射體角度配置為60°,其聲束入射角度為49°,其中開口槽的寬度和深度為1mm,長度為10mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S5中,下游所述填充區(qū)域分為下游第一填充區(qū)、下游第二填充區(qū)和下游第三填充區(qū),相與之對(duì)應(yīng)的填充下游反射體為下游第一填充反射體、下游第二填充反射體和下游第三填充反射體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S6中,所述蓋面下游反射體類型為開口槽,該蓋面下游反射體角度配置為90°,其聲束入射角度為49°,其中開口槽的寬度和深度為1mm,長度為10mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,步驟S7中,所述根部上游反射體和所述根部下游反射體類型均為開口槽,且反射體角度配置均為90°,其聲束入射角度均為67°,其中開口槽的寬度和深度為1mm,長度為10mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述上游第一填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為62°,角度配置為52°;所述上游第二填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為56°,角度配置為63°;所述上游第三填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為51°,角度配置為57°。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的相控陣重復(fù)性試驗(yàn)驗(yàn)證試塊設(shè)計(jì)方法,其特征在于,所述下游第一填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為62°,角度配置為55°;所述下游第二填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為56°,角度配置為60°;所述下游第三填充反射體類型為孔徑為1.5mm的平底孔,該平底孔聲束入射角度為51°,角度配置為55°。
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