[發(fā)明專利]電磁屏蔽材料的制作方法、電磁屏蔽材料及電子產(chǎn)品在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010523414.8 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111621051A | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 夏祥國;黃太 | 申請（專利權(quán)）人： | 深圳市樂工新技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | C08J7/06 | 分類號： | C08J7/06;C08J7/12;C08L67/02;C08L69/00;C08L23/12;C08L23/20;C08L79/08;C23C14/20;C23C14/34;H05K9/00 |
| 代理公司： | 深圳眾邦專利代理有限公司 44545 | 代理人： | 崔亞軍 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市光明區(qū)鳳凰街道*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電磁 屏蔽 材料 制作方法 電子產(chǎn)品 | ||
1.一種電磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，包括：
提供一聚合物薄膜層，該聚合物薄膜層的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；
對聚合物薄膜層進(jìn)行打孔處理，使聚合物薄膜層形成若干通孔，通孔的孔徑范圍為0.1微米-100微米，孔距范圍為0.1微米-100微米；
對聚合物薄膜層進(jìn)行粗化處理，使聚合物薄膜層的達(dá)因值大于或者等于44小于或者等于70；
在粗化后的兩個(gè)表面上分別進(jìn)行氣相沉積，分別在每個(gè)表面及若干通孔的孔壁上形成至少一金屬屏蔽層。
2.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，對聚合物薄膜層進(jìn)行打孔處理的方式為激光打孔，所述若干通孔的孔徑范圍為0.1微米-3微米，孔距范圍為0.1微米-10微米。
3.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述金屬屏蔽層以真空鍍膜的方式形成，所述金屬屏蔽層是由銅、鎳、鈷、鋅、銦、錫、銀、金、鋁、鈦、鐵、鎂、鋯中的任意一種金屬形成的金屬層，或者任意兩種和兩種以上的金屬形成的合金層。
4.如權(quán)利要求3所述的電磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述金屬屏蔽層以濺射的方式形成，其工藝條件為真空度0.01Pa-0.5Pa，連續(xù)卷繞式鍍速為0.01-300米/分鐘，電流為1A-50A，電壓為200V-700V。
5.如權(quán)利要求1所述的電磁屏蔽材料的制作方法，其特征在于，所述粗化處理為電暈處理、等離子體處理、或離子束處理。
6.一種由權(quán)利要求1-5中的任一項(xiàng)所述的方法制得的電磁屏蔽材料。
7.如權(quán)利要求6所述的電磁屏蔽材料，其特征在于，形成于聚合物薄膜層兩個(gè)表面的金屬屏蔽層通過形成于孔壁的金屬屏蔽層相互導(dǎo)通。
8.如權(quán)利要求7所述的電磁屏蔽材料，其特征在于，所述聚合物薄膜層的材質(zhì)為聚酯、聚丙烯、聚乙稀、聚乙烯醇、聚丁烯、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、或聚奈二酸乙二酯；所述金屬屏蔽層是由銅、鎳、鈷、鋅、銦、錫、銀、金、鋁、鈦、鐵、鎂、鋯中的任意一種金屬形成的金屬層，或者任意兩種和兩種以上的金屬形成的合金層，所述金屬屏蔽層的厚度大于或者等于20納米，小于或者等于200微米。
9.如權(quán)利要求8所述的電磁屏蔽材料，其特征在于，形成于聚合物薄膜層兩個(gè)表面的金屬屏蔽層的層數(shù)為1-6層，不同層金屬屏蔽層的厚度相同或不相同，不同層金屬屏蔽層的材質(zhì)相同或不相同。
10.一種電子產(chǎn)品，包括電子產(chǎn)品本體，其特征在于，所述電子產(chǎn)品本體被覆蓋有如權(quán)利要求6-9任意一項(xiàng)所述的電磁屏蔽材料。
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