[發(fā)明專利]電磁屏蔽材料的制作方法、電磁屏蔽材料及電子產(chǎn)品

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202010523414.8
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111621051A
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 夏祥國;黃太
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市樂工新技術(shù)有限公司
• 主分類號: C08J7/06
• 分類號: C08J7/06;C08J7/12;C08L67/02;C08L69/00;C08L23/12;C08L23/20;C08L79/08;C23C14/20;C23C14/34;H05K9/00
• 代理公司: 深圳眾邦專利代理有限公司 44545
• 代理人: 崔亞軍

本發(fā)明公開一種電磁屏蔽材料的制作方法、由該制作方法制得的電磁屏蔽材料、及應(yīng)用該電磁屏蔽材料的電子產(chǎn)品，其中，電磁屏蔽材料的制作方法包括：提供一聚合物薄膜層，該聚合物薄膜層的厚度大于或者等于1.5微米小于或者等于6微米；對聚合物薄膜層進(jìn)行打孔處理，使聚合物薄膜層形成若干通孔，通孔的孔徑范圍為0.1微米?100微米，孔距范圍為0.1微米?100微米；對聚合物薄膜層進(jìn)行粗化處理，使聚合物薄膜層的達(dá)因值大于或者等于44小于或者等于70；在粗化后的兩個表面上分別進(jìn)行氣相沉積，分別在每個表面及若干通孔的孔壁上形成至少一金屬屏蔽層；本發(fā)明的技術(shù)方案提供一種厚度非常薄、柔性好的雙面導(dǎo)通的電磁屏蔽材料。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電磁屏蔽技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種電磁屏蔽材料的制作方法、 由該方法制得的電磁屏蔽材料、及應(yīng)用該電磁屏蔽材料的電子產(chǎn)品。

背景技術(shù)

導(dǎo)電布是一種電磁屏蔽材料，具有良好的導(dǎo)電性及電磁波屏蔽效果。電 磁屏蔽導(dǎo)電布以其優(yōu)良的垂直導(dǎo)通和屏蔽效能廣泛應(yīng)用在電子、儀表等行業(yè)， 能防止由于靜電所造成的電子元器件損壞、老化。然而，現(xiàn)有的導(dǎo)電布的生 產(chǎn)工藝流程長，經(jīng)幾道化學(xué)鍍或電鍍工藝，環(huán)境污染大，金屬層附著力也不 甚理想。且，由于工藝的要求，導(dǎo)電布的厚度很難做薄，其厚度通常是18微 米以上；另外由于導(dǎo)電布生產(chǎn)過程中難以精確控制，導(dǎo)致產(chǎn)品合格率較低， 成本偏高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提供一種電磁屏蔽材料的制作方法，旨在獲得一種 能實現(xiàn)導(dǎo)電布功能的具有更好柔性的電磁屏蔽材料。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的電磁屏蔽材料的制作方法，包括：

提供一聚合物薄膜層，該聚合物薄膜層的厚度大于或者等于1.5微米小于 或者等于6微米；

對聚合物薄膜層進(jìn)行打孔處理，使聚合物薄膜層形成若干通孔，通孔的 孔徑范圍為0.1微米-100微米，孔距范圍為0.1微米-100微米；

對聚合物薄膜層進(jìn)行粗化處理，使聚合物薄膜層兩個表面的達(dá)因值大于 或者等于44小于或者等于70；

在粗化后的兩個表面上分別進(jìn)行氣相沉積，分別在每個表面及若干通孔 的孔壁上形成至少一金屬屏蔽層。

可選地，對聚合物薄膜層進(jìn)行打孔處理的方式為激光打孔，所述若干通 孔的孔徑范圍為0.1微米-3微米，孔距范圍為0.1微米-10微米。

可選地，所述金屬屏蔽層以真空鍍膜的方式形成，所述金屬屏蔽層是由 銅、鎳、鈷、鋅、銦、錫、銀、金、鋁、鈦、鐵、鎂、鋯中的任意一種金屬 形成的金屬層或者任意兩種和兩種以上的金屬形成的合金層。

可選地，所述金屬屏蔽層以濺射的方式形成，其工藝條件為真空度 0.01Pa-0.5Pa，連續(xù)卷繞式鍍速為0.01-300米/分鐘，電流為1A-50A，電壓為 200V-700V。

可選地，所述粗化處理為電暈處理、等離子體處理、或離子束處理。

本發(fā)明還提供一種由上述方法制得的電磁屏蔽材料。該電磁屏蔽材料包 括聚合物薄膜層，該聚合物薄膜層形成有若干通孔，通孔的孔徑范圍為0.1微 米-100微米，孔距范圍為0.1微米-100微米，聚合物薄膜層的兩個表面及若 干通孔的孔壁形成有至少一金屬屏蔽層。

可選地，形成于聚合物薄膜層兩個表面的金屬屏蔽層通過形成于孔壁的 金屬屏蔽層相互導(dǎo)通。

可選地，所述聚合物薄膜層的材質(zhì)為聚酯、聚丙烯、聚乙稀、聚乙烯醇、 聚丁烯、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚碳酸酯、聚丙烯腈、聚對苯二甲酸乙二 酯、聚對苯二甲酸丁二酯、或聚奈二酸乙二酯。所述金屬屏蔽層是由銅、鎳、 鈷、鋅、銦、錫、銀、金、鋁、鈦、鐵、鎂、鋯中的任意一種金屬形成的金 屬層或者任意兩種和兩種以上的金屬形成的合金層，所述金屬屏蔽層的厚度 大于或者等于20納米，小于或者等于200微米。