[發(fā)明專利]電流檢測裝置及電流檢測裝置的制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010523352.0 | 申請日: | 2020-06-10 |
| 公開(公告)號: | CN112114181A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 古川晃;秋田健一;佐佐木大輔 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱電機(jī)株式會社 |
| 主分類號: | G01R19/00 | 分類號: | G01R19/00;G01R15/20;G01R3/00 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 陳力奕;宋俊寅 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電流 檢測 裝置 制造 方法 | ||
1.一種電流檢測裝置,具有磁性傳感器,該磁性傳感器與通向交流旋轉(zhuǎn)電機(jī)的2n相的各繞組的各電流路徑分別相對配置,n為3的倍數(shù),所述電流檢測裝置的特征在于,
l為1至2n的整數(shù),k為1至2n的整數(shù),由與k相的電流路徑相對配置的所述磁性傳感器來進(jìn)行檢測的檢測電流iks通過所述2n相中第l相即l相電流Il、及所述l相的電流路徑與相對配置于所述2n相中第k相即k相的電流路徑的所述磁性傳感器之間的耦合系數(shù)al_k來表達(dá),設(shè)Il的振幅都相同,將以所述檢測電流iks的公式
來表達(dá)的2n個(gè)檢測電流iks dq轉(zhuǎn)換成兩軸坐標(biāo)系,對以該dq轉(zhuǎn)換后的電流來表達(dá)的d軸和電流及q軸和電流各自的直流分量和交流分量分別按由互不相同的相位的正弦函數(shù)所表示的各項(xiàng)來進(jìn)行匯總并進(jìn)行表達(dá),
此時(shí),在2n個(gè)各電流路徑配置位置上,將分別相對配置有所述磁性傳感器的所述電流路徑配置成滿足以下兩個(gè)條件中的至少一個(gè)條件的位置關(guān)系,即:
通過在至少一個(gè)項(xiàng)中將該一個(gè)項(xiàng)中所包含的l≠k的多個(gè)系數(shù)al_k相互抵消來抑制成為誤差分量的項(xiàng)的振幅;以及
通過各個(gè)所述正弦函數(shù)的相位不同的多個(gè)項(xiàng)的值的相互抵消來抑制所述誤差分量。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測裝置,其特征在于,
根據(jù)所述相互抵消的條件,
使用基于所述交流旋轉(zhuǎn)電機(jī)的輸出轉(zhuǎn)矩精度或輸出轉(zhuǎn)矩脈動所決定的誤差δd及誤差δq,
使所述d軸和電流的誤差分量ΔId滿足∣ΔId∣<δd,或者使所述q軸和電流的誤差分量ΔIq滿足∣ΔIq∣<δq。
3.如權(quán)利要求1或2所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述2n相繞組由兩組n相繞組構(gòu)成。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述兩組n相繞組的相位差為π/6rad。
5.如權(quán)利要求3所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述兩組n相繞組的相位差為零。
6.如權(quán)利要求3所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述兩組n相繞組的相位差為π/3rad。
7.如權(quán)利要求3至6的任一項(xiàng)所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述2n個(gè)所述電流路徑配置位置配置于同一圓上。
8.如權(quán)利要求7所述的電流檢測裝置,其特征在于,
所述同一圓的中心在所述交流旋轉(zhuǎn)電機(jī)的轉(zhuǎn)子軸的位置上。
9.如權(quán)利要求7或8所述的電流檢測裝置,其特征在于,
將所述2n個(gè)所述電流路徑配置位置配置成等間隔。
10.如權(quán)利要求7或8所述的電流檢測裝置,其特征在于,
將所述2n個(gè)所述電流路徑配置位置設(shè)定為兩組等間隔配置的n個(gè)所述電流路徑配置位置,在各組的n個(gè)所述電流路徑配置位置上配置有與所述兩組n相繞組的各組n相繞組對應(yīng)的所述電流路徑。
11.如權(quán)利要求7或8所述的電流檢測裝置,其特征在于,
將所述2n個(gè)所述電流路徑配置位置設(shè)定為配置于相互點(diǎn)對稱的位置上的兩組n個(gè)所述電流路徑配置位置,在各組的n個(gè)所述電流路徑配置位置上配置有與所述兩組n相繞組的各組n相繞組對應(yīng)的所述電流路徑。
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