[發明專利]配線基板及其制造方法、噴墨頭、MEMS裝置以及振蕩器

有效

• 申請號: 202010522572.1
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN112078248B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發明（設計）人: 藤井正寬;四谷真一
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: B41J2/16
• 分類號: B41J2/16;B41J2/14;B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 姜克偉

本發明提供一種具有可靠性較高的貫穿配線的配線基板、能夠高效地制造所涉及的配線基板的配線基板制造方法、以及具備所述配線基板的噴墨頭、MEMS裝置以及振蕩器。所述配線基板的特征在于，具有：第一基板，其具有第一面和與所述第一面為相反側的第二面；第一配線，其被設置在所述第一面上；第二配線，其被設置在所述第二面上；貫穿配線，其對所述第一配線和所述第二配線進行電連接，并貫穿所述第一基板，所述貫穿配線包括：第一貫穿配線，其與所述第一配線相連接；第二貫穿配線，其與所述第二配線相連接，在從所述第一基板的厚度方向進行的俯視觀察時，所述第一貫穿配線與所述第二貫穿配線局部重疊。

技術領域

本發明涉及一種配線基板、配線基板的制造方法、噴墨頭、MEMS裝置以及振蕩器。

背景技術

在專利文獻1中，公開了一種如下的貫穿電極的制造方法，所述貫穿電極的制造方法具有通過金屬催化劑蝕刻而在半導體基板上形成貫穿孔的工序、和通過電鍍法而在貫穿孔中填充導體材料從而獲得貫穿電極的工序。

貫穿電極為，能夠實現半導體基板的三維安裝的技術。通過實施半導體基板的三維安裝，從而除了能夠實現半導體裝置的高密度化之外，還能夠實現使用半導體基板的MEMS(MicroElectroMechanicalSystems：微機電系統)裝置的高密度化以及小型化。

在專利文獻1中，在形成貫穿孔時，從半導體基板的一個面起實施蝕刻處理。因此，貫穿孔將從半導體基板的一個面到另一個面筆直地延伸。也就是說，在不會于中途處產生階梯的條件下，形成筆直地延伸的貫穿孔。如果這樣，則在以填充貫穿孔的方式來形成貫穿電極時，將不易在貫穿電極與貫穿孔之間產生摩擦。因此，存在有如下課題，即，貫穿電極變得容易從貫穿孔中拔出，從而降低了貫穿電極的可靠性。

專利文獻1：日本特開2017-201660號公報

發明內容

本發明的應用例所涉及的配線基板，其特征在于，具有：

第一基板，其具有第一面和與所述第一面為相反側的第二面；

第一配線，其被設置在所述第一面上；

第二配線，其被設置在所述第二面上；

貫穿配線，其對所述第一配線和所述第二配線進行電連接，并貫穿所述第一基板，

所述貫穿配線包括：

第一貫穿配線，其與所述第一配線相連接；

第二貫穿配線，其與所述第二配線相連接，

在從所述第一基板的厚度方向進行的俯視觀察時，所述第一貫穿配線與所述第二貫穿配線局部重疊。

附圖說明

圖1為表示第一實施方式所涉及的配線基板的剖視圖。

圖2為圖1所示的配線基板的局部放大圖。

圖3為表示在從圖2所示的第一基板的厚度方向進行的俯視觀察時的、第一貫穿配線的基端面和第二貫穿配線的基端面的俯視圖。

圖4為表示圖2的第一變形例的圖。

圖5為表示圖2的第二變形例的圖。

圖6為用于對第一實施方式所涉及的配線基板的制造方法進行說明的工序圖。

圖7為用于對圖6所示的配線基板的制造方法進行說明的圖。

圖8為用于對圖6所示的配線基板的制造方法進行說明的圖。

圖9為用于對圖6所示的配線基板的制造方法進行說明的圖。

圖10為用于對圖6所示的配線基板的制造方法進行說明的圖。