[發明專利]DRAM接口讀校驗的接口參數適配方法及存儲介質在審
| 申請號： | 202010522534.6 | 申請日： | 2020-06-10 |
| 公開（公告）號： | CN111858195A | 公開（公告）日： | 2020-10-30 |
| 發明（設計）人： | 湯云平 | 申請（專利權）人： | 瑞芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/22 | 分類號： | G06F11/22;G06F11/273 |
| 代理公司： | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐劍兵 |
| 地址： | 350003 福建省*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | dram 接口 校驗 參數 配方 存儲 介質 | ||
【權利要求書】：
1.一種DRAM接口讀校驗的接口參數適配方法，其特征在于，包括如下步驟，將內存顆粒調整至額定頻率運行，寫入校驗數據，再將內存顆粒調整至高于額定頻率，調整時序參數，讀取校驗數據并進行校驗，得到可以獲得正確校驗數據的時序參數區間，根據所述時序參數區間得到最優時序參數。
2.根據權利要求1所述的DRAM接口讀校驗的接口參數適配方法，其特征在于，所述最優時序參數為時序參數區間的中值。
3.根據權利要求1所述的DRAM接口讀校驗的接口參數適配方法，其特征在于，所述時序參數包括相位。
4.一種DRAM接口讀校驗的接口參數適配存儲介質，其特征在于，存儲有計算機程序，所述計算機程序在被運行時執行包括如下步驟，將內存顆粒調整至額定頻率運行，寫入校驗數據，再將內存顆粒調整至高于額定頻率，調整時序參數，讀取校驗數據并進行校驗，得到可以獲得正確校驗數據的時序參數區間，根據所述時序參數區間得到最優時序參數。
5.根據權利要求4所述的DRAM接口讀校驗的接口參數適配存儲介質，其特征在于，所述最優時序參數為時序參數區間的中值。
6.根據權利要求4所述的DRAM接口讀校驗的接口參數適配存儲介質，其特征在于，所述時序參數包括相位。
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