[發(fā)明專利]一種接地基片上形成純鋁鍍的方法及裝置

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• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111534794A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 李淑賢;蘇丹;徐偉;謝敏;宛卓逸;胡怡
• 申請（專利權）人: 常熟顥文電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/35;B08B3/12;B08B3/08;B08B13/00
• 代理公司: 杭州創(chuàng)信知識產權代理有限公司 33383
• 代理人: 蘭玉華

本發(fā)明屬于鍍膜技術領域，具體為一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，包括以下步驟：基片清洗，除去基片表面的油污以及顆粒殘留，并將清洗后的基片放入紅外線烘干箱加溫100°烘干；將烘干后的基片送進真空爐；進爐后真空抽至0.002帕，沖氬氣至真空為0.2帕后往基片上施加500V負偏壓，并輝光清洗；開多弧靶，進行鋁膜打底2分鐘；多弧打底結束后負偏壓降低至100V，開磁控電源，電流調至50A持續(xù)120分鐘鍍膜結束。基片在進入鍍膜機前首先經過超聲波清洗，然后經過一次烘干等，而基片在進入鍍膜機后又經過離子輝光清洗，以除去基片上的殘留微觀雜質，最終確保基片表面干凈無污，為鍍膜的形成提供無污環(huán)境，經過磁控濺射鍍膜，最終在基片表面形成純鋁鍍層。

技術領域

本發(fā)明屬于鍍膜技術領域，具體為一種接地基片上形成純鋁鍍的方法及裝置。

背景技術

接地基片處于高溫等離子輻射和氟化物氣體共同作用的環(huán)境下，不僅要求其具有良好的導電性能，而且對其抗高溫蠕變性也提出了越來越高的要求。對于現有接地基片，表面鍍鋁膜是保證其導電性的關鍵技術，這主要是因為鋁除了具有良好的導電性外，在集成電路刻蝕、光刻以及鍍膜等工藝過程中對元器件的污染最小。目前的接地基片鍍膜技術中，接地基片的前期清洗不徹底，容易在基片上殘留污物，這些污物融入沉積的鋁膜中，使形成的鋁膜不純，影響接地基片的導電性能。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種接地基片上形成純鋁鍍的方法及裝置，用以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)基片清洗，除去基片表面的油污以及顆粒殘留，并將清洗后的基片放入紅外線烘干箱加溫100°烘干；

(2)將烘干后的基片掛入鍍膜機專用掛具，并送進真空爐；

(3)進爐后真空抽至0.002帕，沖氬氣至真空為0.2帕后往基片上施加500V負偏壓，開始離子輝光清洗3-4分鐘，此環(huán)節(jié)可以清洗基片上殘留的微觀雜質；

(4)輝光清洗結束，負偏壓保持在500V，氬氣不變，開多弧靶，電流設置為70A進行鋁膜打底2分鐘；

(5)多弧打底結束后負偏壓降低至100V，氬氣不變，開磁控電源，電流調至50A持續(xù)120分鐘鍍膜結束；

(6)待爐溫冷卻后打開爐門取出基片；

(7)檢驗，包裝。

優(yōu)選地，步驟(1)中，基片清洗依次包括超聲波清洗、一次烘干、酒精漂洗、二次烘干，超聲波清洗可以使基片表面的附著物脫落，其中碎屑顆粒直接掉落，油漬浮于清洗液上，經過一次烘干，基片上的水分被除去，再經過酒精漂洗，基片上的殘留水跡被清除，最后經過二次烘干，得到包面潔凈無污的基片。

優(yōu)選地，所述酒精漂洗包括霧化清洗階段和射流清洗階段，霧化清洗階段中酒精以霧狀噴灑在基片上，達到全方位浸潤基片的效果，可以使基片各處的殘留油漬和水漬與酒精充分融合；射流清洗階段中，酒精高速噴射，射流會與基片表面的酒精混合物碰撞，然后共同從基片上流下來，從而達到徹底清理污物的目的。

優(yōu)選地，步驟(3)中，真空爐包括氬氣入口和氬氣出口，在進行輝光清洗時，氬氣入口的進氣量大于氬氣出口的出氣量，使真空爐內保持0.2帕壓強，并使真空爐中保持從上到下的流動氣流。離子輝光清洗時用于清理基片上的微觀雜質，這部分雜質肉眼不可見，在氬氣流的作用下，這些微觀雜質會從氬氣出口排出，從而避免微觀雜質對鍍層形成的影響。

優(yōu)選地，輝光清洗時間為3分鐘。