[發明專利]一種接地基片上形成純鋁鍍的方法及裝置

在審

• 申請號: 202010522434.3
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111534794A
• 公開（公告）日: 2020-08-14
• 發明（設計）人: 李淑賢;蘇丹;徐偉;謝敏;宛卓逸;胡怡
• 申請（專利權）人: 常熟顥文電子科技有限公司
• 主分類號: C23C14/14
• 分類號: C23C14/14;C23C14/32;C23C14/02;C23C14/35;B08B3/12;B08B3/08;B08B13/00
• 代理公司: 杭州創信知識產權代理有限公司 33383
• 代理人: 蘭玉華

1.一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)基片清洗，除去基片表面的油污以及顆粒殘留，并將清洗后的基片放入紅外線烘干箱加溫100°烘干；

(2)將烘干后的基片掛入鍍膜機專用掛具，并送進真空爐；

(3)進爐后真空抽至0.002帕，沖氬氣至真空為0.2帕后往基片上施加500V負偏壓，開始離子輝光清洗3-4分鐘；

(4)輝光清洗結束，負偏壓保持在500V，氬氣不變，開多弧靶，電流設置為70A進行鋁膜打底2分鐘；

(5)多弧打底結束后負偏壓降低至100V，氬氣不變，開磁控電源，電流調至50A持續120分鐘鍍膜結束；

(6)待爐溫冷卻后打開爐門取出基片；

(7)檢驗，包裝。

2.如權利要求1所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于：步驟(1)中，基片清洗依次包括超聲波清洗、一次烘干、酒精漂洗、二次烘干。

3.如權利要求2所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于：所述酒精漂洗包括霧化清洗階段和射流清洗階段。

4.如權利要求1所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于：步驟(3)中，真空爐包括氬氣入口和氬氣出口，在進行輝光清洗時，氬氣入口的進氣量大于氬氣出口的出氣量，使真空爐內保持0.2帕壓強，并使真空爐中保持從上到下的流動氣流。

5.如權利要求4所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的方法，其特征在于：輝光清洗時間為3分鐘。

6.用于權利要求1-5所述方法的一種接地基片上形成純鋁鍍的裝置，其特征在于：包括無塵室和位于無塵室中的清洗裝置與鍍膜機；其中清洗裝置依次包括超聲波清洗裝置、一級烘干裝置、酒精清洗裝置、二級烘干裝置，且在無塵室中設置能夠夾取物件并順著清洗裝置移動的機械抓，機械抓順著移動軌道移動；所述超聲波清洗裝置包括清洗池，清洗池內部盛裝清洗液并設置超聲波裝置；所述一級烘干裝置為熱風烘干裝置，用以除去基片組上的水分；酒精清洗裝置除去基片組上的殘留油漬；二級烘干裝置用于除去基片組上的殘留酒精；所述鍍膜機包括內部的工作臺，鍍膜機的頂部設置氬氣進氣通道，下部設置氬氣出氣通道，且工作臺位于氬氣進氣通道和氬氣出氣通道之間的空間中；在氬氣入口設置均流器，均流器上設置若干出氣孔，氬氣經均流器噴射進真空爐內；在工作臺的下方或周圍設置環狀抽氣管，該抽氣管連接氬氣出氣通道。

7.如權利要求6所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的裝置，其特征在于：所述超聲波清洗裝置還包括位于清洗池底部的移動基座，在清洗池的上沿中部縱向設置上分離板，上分離板將清洗池內清洗液的液面分成左右兩部分，移動基座能從左到右往返移動；在清洗池下方設置由電機驅動的螺桿，該螺桿的延伸與移動基座的移動方向一致；在移動基座底部設置磁鐵塊，對應地在螺桿上設置磁鐵塊，兩塊磁鐵塊分別位于清洗池的內部和外部，且下部磁鐵塊的移動帶動上部磁鐵塊移動。

8.如權利要求7所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的裝置，其特征在于：所述酒精清洗裝置包括清洗箱，清洗箱下部設置下倉口II，并在下倉口II中設置酒精噴射裝置；所述清洗箱內部空間被翻轉隔板分割成左右兩部分，且在左部分內設置霧化噴頭，右部分內設置射流噴頭，兩種噴頭均連接酒精噴射裝置。

9.如權利要求8所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的裝置，其特征在于：所述二級烘干裝置包括烘干箱II，烘干箱II內設置紅外烘干裝置；烘干箱II下部還設置下倉口II，該二級烘干裝置還包括熱風系統和抽氣系統，其中熱風系統包括位于下倉口II內的加熱裝置和位于烘干箱II內底部的熱風管，抽氣系統包括位于下倉口II內的抽風機和認為與烘干箱II內部上沿的抽風管；所述烘干箱II的內壁設置吸潮隔層。

10.如權利要求6至9中任一項所述的一種接地基片上形成純鋁鍍的裝置，其特征在于：所述鍍膜機配備60KW磁控電源，最大濺射電流100A。