[發明專利]單向導通電路及應用其的開關電源

在審

• 申請號: 202010522400.4
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111600463A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 林利瑜;毛衛軍
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種單向導通電路，應用于開關電源，供電電壓通過所述單向導通電路給開關電源的驅動電路供電，其特征在于：所述單向導通電路包括兩個開關管及其驅動電路，所述的兩個開關管的體二極管反向串聯；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，在所述的兩個開關管的控制端分別給定驅動電壓，以減小兩個開關管的導通壓降；

所述開關電源包括上管和下管，所述上管和下管相連，供電電壓通過所述單向導通電路給所述上管的驅動電路供電。

2.根據權利要求1所述的單向導通電路，其特征在于：所述的兩個開關管均為NMOS管，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，兩個開關管的柵極連接所述單向導通電路的輸入端；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，兩個開關管的柵極驅動電壓高于所述供電電壓。

3.根據權利要求1所述的單向導通電路，其特征在于：所述的兩個MOS管均為PMOS管，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，兩個開關管的柵極連接所述單向導通電路的輸出端；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，兩個開關管的柵極驅動電壓低于單向導通電路輸出端電壓。

4.根據權利要求1所述的單向導通電路，其特征在于：所述的兩個MOS管中，一個為NMOS管，另一個為PMOS管；當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，NMOS管柵極連接PMOS管源極，PMOS管柵極連接其漏極和NMOS管源極；PMOS管源極連接單向導通電路的輸入端，NMOS管漏極連接單向導通電路的輸出端。

5.根據權利要求1所述的單向導通電路，其特征在于：所述的NMOS管中，一個為NMOS管，另一個為PMOS管；當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，NMOS管柵極連接其漏極和PMOS管源極，PMOS管柵極連接NMOS管源極；PMOS管漏極連接單向導通電路的輸入端，NMOS源極連接單向導通電路的輸出端。

6.根據權利要求2、4或5所述的單向導通電路，其特征在于：所述的兩個MOS管的驅動電路包括電荷泵電路，當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，所述電荷泵電路驅動NMOS管導通。

7.根據權利要求2或4所述的單向導通電路，其特征在于：所述的NMOS管的驅動電路包括第一電容，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，所述第一電容高電位端接收供電電壓，其低電位端接收第一電壓；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，所述第一電容低電位端接收供電電壓，所述第一電容高電位端連接所述的NMOS管的柵極。

8.根據權利要求5所述的單向導通電路，其特征在于：所述的NMOS管的驅動電路包括第一電容，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，所述第一電容高電位端連接所述的兩個MOS管的公共連接端，其低電位端接收第一電壓；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，所述第一電容低電位端連接所述的兩個MOS管的公共連接端，所述第一電容高電位端連接所述的NMOS管的柵極。

9.根據權利要求3或5所述的單向導通電路，其特征在于：所述的PMOS管的驅動電路包括第一驅動管和第二驅動管，所述第一驅動管第一端連接單向導通電路的輸出端，所述第一驅動管的第二端連接所述第二驅動管的第一端，其公共連接端連接所述PMOS管的柵極，所述第二驅動管的第二端接收第二電壓，所述第二電壓小于單向導通電路的輸出電壓；當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，控制所述第一驅動管導通和所述第二驅動管關斷；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，控制所述第一驅動管關斷和所述第二驅動管導通。