[發明專利]單向導通電路及應用其的開關電源

在審

• 申請號: 202010522400.4
• 申請日: 2020-06-10
• 公開（公告）號: CN111600463A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 林利瑜;毛衛軍
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子(杭州)有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明提出一種單向導通電路，應用于開關電源，供電電壓通過所述單向導通電路給開關電源的驅動電路供電，所述單向導通電路包括兩個開關管及其驅動電路，所述的兩個開關管的體二極管反向串聯；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，在所述的兩個開關管的控制端分別給定驅動電壓，以減小兩個開關管的導通壓降；所述開關電源包括上管和下管，所述上管和下管相連，供電電壓通過所述單向導通電路給所述上管的驅動電路供電。本發明可以避免體二極管寄生效應帶來的影響。

技術領域

本發明涉及電力電子領域，特別涉及一種單向導通電路及應用其的開關電源。

背景技術

圖1示意了現有技術開關電源原理圖，供電電壓VDD通過兩個串聯的MOS管給開關電源驅動電路供電；但當同步整流管M1關斷時，SW處電壓會被拉低到小于零，使得自舉電容C0高電位端電壓被拉低，從而使得輸入端和自舉電容C0正極之間的壓差很大，導致主開關管M2會有漏電流從其體二極管流過。由于體二極管的寄生效應，漏電流流過體二極管會影響電路性能。

發明內容

本發明的目的是提供一種避免漏電流流過體二極管的單向導通電路充電方法及應用其的開關電源，用以解決現有技術存在的漏電流流過體二極管而帶來的寄生效應的問題。

為實現上述目的，本發明提供了一種單向導通電路，應用于開關電源，供電電壓通過所述單向導通電路給開關電源的驅動電路供電，所述單向導通電路包括兩個開關管及其驅動電路，所述的兩個開關管的體二極管反向串聯；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，在所述的兩個開關管的控制端分別給定驅動電壓，以減小兩個開關管的導通壓降；

所述開關電源包括上管和下管，所述上管和下管相連，供電電壓通過所述單向導通電路給所述上管的驅動電路供電。

可選的，所述的兩個開關管均為NMOS管，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，兩個開關管的柵極連接所述單向導通電路的輸入端；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，兩個開關管的柵極驅動電壓高于所述供電電壓。

可選的，所述的兩個MOS管均為PMOS管，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，兩個開關管的柵極連接所述單向導通電路的輸出端；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，兩個開關管的柵極驅動電壓低于單向導通電路輸出端電壓。

可選的，所述的兩個MOS管中，一個為NMOS管，另一個為PMOS管；當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，NMOS管柵極連接PMOS管源極，PMOS管柵極連接其漏極和NMOS管源極；PMOS管源極連接單向導通電路的輸入端，NMOS管漏極連接單向導通電路的輸出端。

可選的，所述的兩個MOS管中，一個為NMOS管，另一個為PMOS管；當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，NMOS管柵極連接其漏極和PMOS管源極，PMOS管柵極連接NMOS管源極；PMOS管漏極連接單向導通電路的輸入端，NMOS源極連接單向導通電路的輸出端。

可選的，所述的NMOS管的驅動電路包括電荷泵電路，當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，所述電荷泵電路驅動NMOS管導通。

可選的，所述的NMOS管的驅動電路包括第一電容，當單向導通電路的輸出電壓大于其輸入電壓或者開關電源的下管關斷時，所述第一電容高電位端接收供電電壓，其低電位端接收第一電壓；當單向導通電路的輸出電壓小于其輸入電壓或者開關電源的下管導通時，所述第一電容低電位端接收供電電壓，所述第一電容高電位端連接所述的NMOS管的柵極。