[發明專利]一種新型N型晶硅TOPCon電池結構及其制備工藝在審
| 申請號: | 202010519716.8 | 申請日: | 2020-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN111584667A | 公開(公告)日: | 2020-08-25 |
| 發明(設計)人: | 楊飛飛;楊旭彪;張云鵬;李雪方;郭麗;杜澤霖;李陳陽;張波;趙科巍;魯貴林 | 申請(專利權)人: | 山西潞安太陽能科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L31/068 | 分類號: | H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18 |
| 代理公司: | 太原市科瑞達專利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 國省代碼: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 型晶硅 topcon 電池 結構 及其 制備 工藝 | ||
本發明涉及N型晶硅TOPCon電池生產領域。一種新型N型晶硅TOPCon電池結構,背面膜層結構自下而上為SixNy/SiOx/SiOxNy,其中,中間SiOx為磷摻雜的膜層;其中,SiOxNy層的折射率為1.7?2.0,厚度為3?5nm,SiOx層折射率為1.5?1.7,厚度為50?100nm,SixNy層折射率為2.1?2.3,厚度為70?80nm。本發明還涉及該電池結構的制備工藝。本發明不僅與當前P型PERC電池制程工藝兼容性高,設備投入額小,而且解決了磷摻雜繞度的問題,制造過程產品良率高。
技術領域
本發明涉及N型晶硅TOPCon電池生產領域。
背景技術
太陽能電池是將太陽能轉化為電能的基礎器件。隨著太陽能電池工藝技術的不斷進步與深入,高效降本已經成為當前太陽電池產業化發展的重要方向,高效結構設計和提高制造良率是實現這一目標的關鍵。目前,業界的主流產品為P型晶硅太陽能電池,該電池工藝簡單,但是具有光致衰減效應,即電池的效率會隨著時間的增加而逐漸衰減,而N型電池由于少子壽命高、無光致衰減等特性,逐漸發展成為下一代高效電池產品之一。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是:如何解決現有P型PERC電池效率低、光衰大的問題。
本發明所采用的技術方案是:一種新型N型晶硅TOPCon電池結構,背面膜層結構自下而上為SixNy /SiOx/SiOxNy,其中,中間SiOx為磷摻雜的膜層;其中,SiOxNy層的折射率為1.7-2.0,厚度為3-5nm,SiOx層折射率為1.5-1.7,厚度為50-100nm,SixNy層折射率為2.1-2.3,厚度為70-80nm。
內膜層SiOxNy,充當隧穿氧化層,可對硅基體背表面進行化學鈍化,有效降低表面的復合速率;中間層SiOx,在充當電子選擇層的同時,有效降低背面接觸電阻,提高填充因子;外層SixNy,主要用作減反射膜。
一種新型N型晶硅TOPCon電池結構的制備工藝,背面膜層結構按照如下的步驟進行制備
步驟一、背面SiOx/SiOxNy膜層的制備,使用PECVD設備,沉積SiOxNy時,壓力為1500-2000mTorr,溫度450-500℃,功率為10000-12000W,脈沖開關比為1:16,所通SiH4/NH3/N2O=1/0.5/5.2至1/0.8/5.8,時間為15-45s;沉積SiOx時,壓力為1500-2000mTorr,溫度450-500℃,功率為10000-12000W,脈沖開關比為1:16,所通SiH4/N2O=2/1至4/1,時間為400-800s;
步驟二、背面中間層SiOx磷摻雜的制備,采用磷擴散方式,通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2,反應溫度780-820℃,時間為200-400s;
步驟三、背面清洗,清洗邊緣與背面部分PSG,使用原液體積比濃度為49%的HF,與H2O配置成1%體積濃度的混合液,反應時間為0.5min;
步驟四、背面SixNy膜層的制備,采用PECVD的方式,沉積SixNy時壓力為1000-2000mTorr,溫度450-500℃,功率為11000-13000W,脈沖開關比為1:12,所通SiH4/NH3 =1/4至1/10,時間為800-1200s。
本發明中X和y用于反應分子式中的原子之間的比例關系,取正數。
本發明的有益效果是:本發明不僅與當前P型PERC電池制程工藝兼容性高,設備投入額小,而且解決了磷摻雜繞度的問題,制造過程產品良率高。
附圖說明
圖1是本發明結構的示意圖。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





