[發(fā)明專利]一種新型N型晶硅TOPCon電池結(jié)構(gòu)及其制備工藝

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010519716.8
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111584667A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊飛飛;楊旭彪;張?jiān)迄i;李雪方;郭麗;杜澤霖;李陳陽;張波;趙科巍;魯貴林
• 申請（專利權(quán)）人: 山西潞安太陽能科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L31/068
• 分類號: H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 太原市科瑞達(dá)專利代理有限公司 14101
• 代理人: 李富元

1.一種新型N型晶硅TOPCon電池結(jié)構(gòu)，其特征在于：背面膜層結(jié)構(gòu)自下而上為SixNy /SiOx/SiOxNy，其中，中間SiOx為磷摻雜的膜層；其中，SiOxNy層的折射率為1.7-2.0，厚度為3-5nm，SiOx層折射率為1.5-1.7，厚度為50-100nm，SixNy層折射率為2.1-2.3，厚度為70-80nm。

2.一種權(quán)利要求1所述新型N型晶硅TOPCon電池結(jié)構(gòu)的制備工藝，其特征在于：背面膜層結(jié)構(gòu)按照如下的步驟進(jìn)行制備

步驟一、背面SiOx/SiOxNy膜層的制備，使用PECVD設(shè)備，沉積SiOxNy時，壓力為1500-2000mTorr,溫度450-500℃，功率為10000-12000W,脈沖開關(guān)比為1:16，所通SiH4/NH3/N2O=1/0.5/5.2至1/0.8/5.8,時間為15-45s；沉積SiOx時，壓力為1500-2000mTorr,溫度450-500℃，功率為10000-12000W,脈沖開關(guān)比為1:16，所通SiH4/N2O=2/1至4/1,時間為400-800s；

步驟二、背面中間層SiOx磷摻雜的制備，采用磷擴(kuò)散方式，通入300sccm的N2、500-1000sccm的N2-POCl3、400-900sccm的O2，反應(yīng)溫度780-820℃，時間為200-400s；

步驟三、背面清洗，清洗邊緣與背面部分PSG，使用原液體積比濃度為49%的HF，與H2O配置成1%體積濃度的混合液，反應(yīng)時間為0.5min；

步驟四、背面SixNy膜層的制備，采用PECVD的方式，沉積SixNy時壓力為1000-2000mTorr,溫度450-500℃，功率為11000-13000W,脈沖開關(guān)比為1:12，所通SiH4/NH3 =1/4至1/10,時間為800-1200s。