[發(fā)明專利]形成薄層的方法及使用其制造非易失性存儲器裝置的方法

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• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112802851A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 卞惠炫;權(quán)日榮;賓真昈
• 申請（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/02;H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造非易失性存儲器裝置的方法，該方法包括以下步驟：

在半導(dǎo)體基板上形成第一犧牲層；

在所述第一犧牲層上形成第二犧牲層以形成犧牲結(jié)構(gòu)；

在所述犧牲結(jié)構(gòu)上形成絕緣夾層；以及

交替地形成附加的犧牲結(jié)構(gòu)和附加的絕緣夾層以形成層疊結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第一犧牲層和所述第二犧牲層相對于蝕刻劑具有相同的蝕刻選擇性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述第二犧牲層的硬度高于所述第一犧牲層的硬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述第一犧牲層包括具有第一硅含量的第一氮化硅層，并且所述第二犧牲層包括具有大于所述第一硅含量的第二硅含量的第二氮化硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，形成所述第一犧牲層和所述第二犧牲層的步驟包括以下步驟：

向腔室供應(yīng)硅源和氮源達(dá)第一時間間隔以形成所述第一犧牲層；以及

增加所述硅源的供應(yīng)量同時保持所述氮源的供應(yīng)量達(dá)第二時間間隔以形成所述第二犧牲層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，形成所述第一犧牲層的步驟包括在所述半導(dǎo)體基板上形成氮化硅層，并且形成所述第二犧牲層的步驟包括在所述第一犧牲層上形成包括雜質(zhì)的氮化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述雜質(zhì)包括碳化物和硼中的至少一種。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第二犧牲層的步驟包括：

在所述第一犧牲層上形成氮化硅層；

將所述雜質(zhì)注入到所述氮化硅層中；以及

激活所述氮化硅層中的所述雜質(zhì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，形成所述第二犧牲層的步驟包括：

在所述第一犧牲層上形成氮化硅層；以及

使用包含所述雜質(zhì)的氣體對所述氮化硅層的表面進(jìn)行處理。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：

蝕刻所述層疊結(jié)構(gòu)直到暴露出所述半導(dǎo)體基板的第一區(qū)域以形成孔；

在所述孔中形成溝道柱；

蝕刻所述層疊結(jié)構(gòu)直到暴露出所述半導(dǎo)體基板的第二區(qū)域以形成狹縫；以及

選擇性地去除所述犧牲結(jié)構(gòu)。

11.一種制造非易失性存儲器裝置的方法，該方法包括以下步驟：

提供具有源極層的半導(dǎo)體基板；

在所述半導(dǎo)體基板上形成柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上形成具有經(jīng)緩沖處理的上表面的氮化硅層；

在所述氮化硅層的所述經(jīng)緩沖處理的上表面上形成氧化硅層；以及

在所述氧化硅層上交替地形成附加的氮化硅層和附加的氧化硅層以形成層疊結(jié)構(gòu)，

其中，所述氮化硅層的所述經(jīng)緩沖處理的上表面的硬度高于所述氮化硅層的硬度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成具有所述經(jīng)緩沖處理的上表面的所述氮化硅層的步驟包括以下步驟：

供應(yīng)硅源和氮源以形成初步氮化硅層；以及

在保持所述氮源的供應(yīng)量的同時增加所述硅源的含量以形成所述經(jīng)緩沖處理的上表面。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成具有所述經(jīng)緩沖處理的上表面的所述氮化硅層的步驟包括以下步驟：

通過硅源和氮源之間的反應(yīng)形成初步氮化硅層；

將雜質(zhì)注入到所述初步氮化硅層的上表面中；以及

激活所述初步氮化硅層的所述上表面的周邊中的所述雜質(zhì)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述雜質(zhì)包括碳化物和硼中的至少一種。