[發明專利]形成薄層的方法及使用其制造非易失性存儲器裝置的方法

在審

• 申請號: 202010517797.8
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112802851A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 卞惠炫;權日榮;賓真昈
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/11568
• 分類號: H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/02;H01L27/24;H01L45/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

形成薄層的方法及使用其制造非易失性存儲器裝置的方法。一種制造非易失性存儲器裝置的方法包括在具有源極層的半導體基板上形成柵極絕緣層。該方法還包括在柵極絕緣層上形成具有經緩沖處理的上表面的氮化硅層，其中，氮化硅層的經緩沖處理的上表面的硬度高于氮化硅層的硬度。方法還包括在氮化硅層的經緩沖處理的上表面上形成氧化硅層。方法附加地包括在氧化硅層上交替地形成附加的氮化硅層和附加的氧化硅層以形成層疊結構。

技術領域

各種實施方式通常可以總地涉及半導體制造技術，更具體地，涉及形成薄層的方法及使用其制造非易失性存儲器裝置的方法。

背景技術

半導體裝置可以包括多個層疊的薄層。薄層的特定層可以相對于特定層的上層和下層具有接合特性。此外，薄層可以具有均勻的厚度。

薄層可以用于特定元件中的布線、電極、絕緣層、或用于限定特定區域的犧牲層。

發明內容

根據本公開的實施方式，一種制造非易失性存儲器裝置的方法包括：在半導體基板上形成第一犧牲層；以及在第一犧牲層上形成第二犧牲層，以形成犧牲結構。該方法還包括在犧牲結構上形成絕緣夾層。該方法還包括交替地形成附加的犧牲結構和附加的絕緣夾層，以形成層疊結構。

根據本公開的實施方式，一種制造非易失性存儲器裝置的方法包括在具有源極層的半導體基板上形成柵極絕緣層。該方法還包括在柵極絕緣層上形成具有經緩沖處理的上表面的氮化硅層，其中，氮化硅層的經緩沖處理的上表面的硬度高于氮化硅層的硬度。該方法還包括在氮化硅層的經緩沖處理的上表面上形成氧化硅層。該方法附加地包括在氧化硅層上交替形成附加的氮化硅層和附加的氧化硅層以形成層疊結構。

根據本公開的實施方式，一種形成薄層的方法包括：形成具有第一晶格尺寸的第一層以及在第一層上形成具有第二晶格尺寸的第二層，第二晶格尺寸小于第一晶格尺寸。該方法還包括對第二層的上表面進行緩沖處理，以提供具有高于第二層的其它部分的硬度的硬度的第二層的上表面。該方法還包括在第二層的經緩沖處理的上表面上形成具有第一晶格尺寸并與第一層相同的材料的第三層。

根據本公開的實施方式，一種制造非易失性存儲器裝置的方法包括：在半導體基板上形成包括不同層的犧牲結構；以及在犧牲結構上形成絕緣夾層。該方法還包括交替地形成附加的犧牲結構和附加的絕緣夾層，以形成層疊結構。

附圖說明

根據以下結合附圖的詳細描述，將更清楚地理解本公開的主題的上述和其它方面、特征和優點，在附圖中：

圖1是例示根據示例實施方式的薄層結構的截面圖；

圖2和圖3是例示根據示例實施方式的薄層之間的晶格尺寸的圖；

圖4至圖8是例示根據示例實施方式的形成薄層的方法的截面圖；

圖9是例示根據示例實施方式的非易失性存儲器裝置的電路圖；

圖10是例示圖9中的非易失性存儲器裝置的立體圖；以及

圖11至圖16是例示根據示例實施方式的制造非易失性存儲器裝置的方法的截面圖。

具體實施方式

參照附圖更詳細地描述了本教導的各種實施方式。附圖是各種實施方式(和中間結構)的示意圖示。這樣，由于例如制造技術和/或容差導致的示例的構造和形狀的變化是可以預期的。因此，所描述的實施方式不應解釋為限于本文所例示的特定構造和形狀，而是可以包括在不脫離所附權利要求書中所限定的本教導的精神和范圍的構造和形狀的偏差。

本文中參照理想化的實施方式的截面圖和/或平面圖描述了本教導。然而，所呈現的實施方式不應被解釋為限制本教導。盡管示出并描述了本教導的一些實施方式，但是本領域普通技術人員將理解，可以在不脫離本教導的原理和精神的情況下對這些實施方式進行變型。

圖1是例示根據示例實施方式的薄層結構的截面圖。