[發明專利]GOA電路及顯示面板有效
| 申請號: | 202010517010.8 | 申請日: | 2020-06-09 |
| 公開(公告)號: | CN111710305B | 公開(公告)日: | 2021-09-24 |
| 發明(設計)人: | 胡曉斌 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3266 | 分類號: | G09G3/3266 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 徐世俊 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | goa 電路 顯示 面板 | ||
1.一種GOA電路,其特征在于,包括級聯的多個GOA電路單元,其中第n級GOA電路單元包括:上拉控制電路單元(101)、上拉電路單元(102)、下傳電路單元(103)、下拉電路單元(104)、以及電容(Cb);
其中,所述上拉控制電路單元(101)、所述上拉電路單元(102)、所述下傳電路單元(103)、所述下拉電路單元(104)、所述下拉維持電路單元以及電容(Cb)均電連接至第一節點Q(n);
所述上拉電路單元(101)分別接入第n-1級GOA電路單元的時鐘信號(CKN-1)、起始觸發信號(STV)或所述第n-1級GOA電路單元的級傳信號(STN-1),用以將電路中第一節點Q(n)充電到高電位;
所述上拉電路單元(102)接入時鐘信號(CKN),用以將第n級GOA電路單元的輸出信號(GN)拉高到所述時鐘信號(CKN)的高電位;
所述下傳電路單元(103)接入所述時鐘信號(CKN)并輸出第n級GOA電路單元的級傳信號(STN),用以控制第n+1級的GOA單元的上拉控制電路單元的打開或關閉;
所述下拉電路單元(104)分別接入所述第n+2級GOA電路單元的時鐘信號(CKN+2)、第一低電位直流信號(VSSQ)以及第二低電位直流信號(VSSG),用以拉低所述第一節點Q(n)預充電、所述第n級GOA電路單元的級傳信號(STN)以及所述第n級的掃描驅動信號G(n)的電位至低電位;
所述電容(Cb)用以提供并維持所述第一節點Q(n)預充電的電位,所述電容的連接所述第n級GOA電路單元的輸出信號(GN);
所述第一低電位直流信號(VSSQ)的電位與所述起始觸發信號(STV)的低電位相同;
所述第二低電位直流信號(VSSG)的電位高于所述第一低電位直流信號(VSSQ)電位。
2.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,
所述上拉控制電路單元(101)包括:
第一薄膜晶體管(T11),所述第一薄膜晶體管(T11)的柵極連接第n-1級GOA電路單元的時鐘信號(CKN-1),所述第一薄膜晶體管(T11)的漏極連接起始觸發信號(STV)或所述第n-1級GOA電路單元的級傳信號(STN-1),所述第一薄膜晶體管(T11)的源極連接第一節點(QN)。
3.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,
所述上拉電路單元(102)包括:
第二薄膜晶體管(T21),所述第二薄膜晶體管(T21)的柵極連接所述第一節點(QN),所述二薄膜晶體管(T21)的漏極連接時鐘信號(CKN),所述第二薄膜晶體管(T21)的源極連接所述第n級GOA電路單元的輸出信號(GN)。
4.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,
所述下傳電路單元(103)包括:
第三薄膜晶體管(T22),所述第三薄膜晶體管(T22)的柵極連接所述第一節點(QN),所述三薄膜晶體管(T22)的漏極連接所述時鐘信號(CKN),所述第三薄膜晶體管(T22)的源極輸出所述第n級GOA電路單元的級傳信號(STN)。
5.根據權利要求1所述的GOA電路,其特征在于,
所述下拉電路單元(104)包括:
第四薄膜晶體管(T23),所述第四薄膜晶體管(T23)的柵極連接第n+2級GOA電路單元的時鐘信號(CKN+2),所述四薄膜晶體管(T23)的漏極連接所述第n級GOA電路單元的級傳信號(STN),所述第四薄膜晶體管(T23)的源極連接第一低電位直流信號(VSSQ);
第五薄膜晶體管(T31),所述第五薄膜晶體管(T31)的柵極連接所述第n+2級GOA電路單元的時鐘信號(CKN+2),所述五薄膜晶體管(T31)的漏極連接所述第n級GOA電路單元的輸出信號(GN),所述第五薄膜晶體管(T31)的源極連接第二低電位直流信號(VSSG);
第六薄膜晶體管(T41),所述第六薄膜晶體管(T41)的柵極連接所述第n+2級GOA電路單元的時鐘信號(CKN+2),所述第六薄膜晶體管(T41)的漏極連接所述第一節點(QN),所述第六薄膜晶體管(T41)的源極連接所述第一低電位直流信號(VSSQ)。
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