[發(fā)明專利]非易失性存儲器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010516756.7
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN112071854A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 鄭光泳;金鐘源;孫榮晥;韓智勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王新華

1.一種非易失性存儲器件，包括：

模制結構，包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣圖案和多個柵電極；

半導體圖案，穿透所述模制結構并接觸所述襯底；

第一電荷存儲膜；以及

與所述第一電荷存儲膜分隔開的第二電荷存儲膜，

其中所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜設置在每個所述柵電極與所述半導體圖案之間，

其中每個所述柵電極包括分別從所述柵電極的側表面向內凹陷的第一凹部和第二凹部，并且

所述第一電荷存儲膜填充所述第一凹部的至少一部分，所述第二電荷存儲膜填充所述第二凹部的至少一部分。

2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述半導體圖案在與所述襯底的上表面相交的方向上延伸，并且

所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜在所述方向上彼此分隔開。

3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜包括與所述多個柵電極中的對應柵電極相對的第一表面，并且

所述第一表面具有朝向所述對應柵電極的凸起形狀。

4.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜還包括與所述半導體圖案相對的第二表面，并且

所述第二表面與所述半導體圖案的側表面平行。

5.根據權利要求3所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜還包括與所述半導體圖案相對的第二表面，并且

所述第二表面具有在遠離所述半導體圖案的側表面的方向上凹入的形狀。

6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

阻擋絕緣膜，在所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜與每個所述柵電極之間沿著所述第一凹部和所述第二凹部的輪廓延伸。

7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜包括硅氮化物，所述阻擋絕緣膜包括硅氧化物或具有比硅氧化物大的介電常數的高k電介質材料。

8.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，還包括：

隧道絕緣膜，在所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜與所述半導體圖案之間沿著所述半導體圖案的側表面延伸。

9.根據權利要求8所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜包括硅氮化物，所述隧道絕緣膜包括硅氧化物或具有比硅氧化物大的介電常數的高k電介質材料。

10.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中在與所述襯底的上表面相交的方向上，所述第一電荷存儲膜的寬度和所述第二電荷存儲膜的寬度彼此不同。

11.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中在與所述半導體圖案的側表面相交的方向上，所述第一電荷存儲膜的深度和所述第二電荷存儲膜的深度彼此不同。

12.根據權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中所述第一電荷存儲膜和所述第二電荷存儲膜分別地且獨立地存儲電荷。

13.一種非易失性存儲器件，包括：

模制結構，包括交替地堆疊在襯底上的多個絕緣圖案和多個柵電極，其中每個所述柵電極包括順序地堆疊的第一部分、第二部分和第三部分；

半導體圖案，穿透所述模制結構并接觸所述襯底；

第一電荷存儲膜，設置在所述第一部分和所述半導體圖案之間；以及

第二電荷存儲膜，設置在所述第三部分和所述半導體圖案之間，

其中與所述第二部分的側表面相比所述第一部分的側表面進一步延伸到所述第一部分中，與所述第二部分的所述側表面相比所述第三部分的側表面進一步延伸到所述第三部分中。