[發明專利]半導體器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202010516053.4
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111696984B
• 公開（公告）日: 2023-06-23
• 發明（設計）人: 韓廣濤
• 申請（專利權）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/07
• 分類號: H01L27/07;H01L29/06;H01L21/8249;G03F1/80
• 代理公司: 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449
• 代理人: 馬陸娟

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

深阱區，位于所述襯底上，為第一導電類型摻雜；

依次線性設置在所述深阱區上表面的第一阱區、第二阱區、第三阱區和第四阱區，所述第一阱區和所述第三阱區為第二導電類型摻雜，所述第二阱區和所述第四阱區為第一導電類型摻雜；

埋層，位于所述深阱區中，為第二導電類型摻雜，所述埋層與所述第一阱區和所述第三阱區連接，并與所述第一阱區和所述第三阱區包圍所述第二阱區；

第一摻雜區，位于所述第一阱區中，為第二導電類型摻雜；

第二摻雜區，位于所述第二阱區中，為第一導電類型摻雜；

第三摻雜區，位于所述第四阱區中，為第二導電類型摻雜；

第四摻雜區，位于所述第四阱區中，為第一導電類型摻雜，所述第四摻雜區較所述第三摻雜區遠離所述第一摻雜區；

柵極結構，覆蓋在所述第三阱區和所述第四阱區上，

其中，所述第一摻雜區、所述第二摻雜區、所述第三摻雜區和所述第四摻雜區均電引出。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第一阱區為漂移區。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述第三阱區為漂移區。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述深阱區為N型摻雜，所述襯底為P型襯底。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述深阱區為P型摻雜，所述襯底為N型襯底。

6.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括：

在襯底上制作深阱區，所述深阱區為第一導電類型摻雜；

在所述深阱區中制作埋層，所述埋層為第二導電類型摻雜；

在所述深阱區上表面制作依次線性分布的第一阱區、第二阱區、第三阱區和第四阱區，所述第一阱區和所述第三阱區為第二導電類型摻雜，與所述第二阱區和所述第四阱區為第一導電類型摻雜；

在所述第四阱區上表面制作第三摻雜區和第四摻雜區，所述第三摻雜區較所述第四摻雜區靠近所述第二阱區，所述第三摻雜區為第二導電類型摻雜，所述第四摻雜區為第一導電類型摻雜；

在所述第二阱區上表面制作第二摻雜區，所第二摻雜區為第一導電類型摻雜；

在所述第一阱區的上表面制作第一摻雜區，所述第一摻雜區的為第二導電類型摻雜；

在所述第三阱區和所述第四阱區上制作柵極結構；

其中，在制作所述第一阱區、所述第二阱區、所述第三阱區和所述第四阱區的步驟中，對摻雜類型相同的阱區采用同一塊光刻版為掩膜進行制作。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

在制作完所述第一阱區后，采用漂移區光刻版為掩膜向所述第一阱區中注入相應摻雜雜質，以將所述第一阱區制作為漂移區。

8.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，還包括：

在制作完所述第三阱區后，采用漂移區光刻版為掩膜向所述第三阱區中注入相應摻雜雜質，以將所述第三阱區制作為漂移區。

9.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，

在制作完所述第一阱區和所述第三阱區后，采用一塊漂移區光刻版為掩膜，同時向所述第一阱區和所述第三阱區注入相應摻雜雜質，以將所述第一阱區和所述第三阱區制作為漂移區。

10.根據權利要求6所述的半導體器件的制作方法，其特征在于，

所述第一導電類型摻雜為N型摻雜或P型摻雜，所述第二導電類型摻雜與所述第一導電類型摻雜的摻雜相反。