[發明專利]高強度透明氮化硅陶瓷的高溫高壓制備方法

有效

• 申請號: 202010515446.3
• 申請日: 2020-06-09
• 公開（公告）號: CN111548169B
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 馬帥領;崔田;陶強;朱品文;包括
• 申請（專利權）人: 吉林大學
• 主分類號: C04B35/584
• 分類號: C04B35/584;C04B35/622;C04B35/645
• 代理公司: 長春吉大專利代理有限責任公司 22201
• 代理人: 王恩遠

1.一種高強度透明氮化硅陶瓷的高溫高壓制備方法，以微米α-Si₃N₄和納米β-Si₃N₄混合物為原料，經過原料混合、壓塊、組裝、高溫高壓合成、冷卻卸壓的工藝過程制得β-Si₃N₄透明陶瓷材料；所述的壓塊，是指利用液壓機按合成腔體大小將混合物的原料壓成圓柱狀；所述的組裝，是將塊狀圓柱狀原料裝入加熱容器，放入合成腔體中；所述的高溫高壓合成，是在壓力為3.0～5.5GPa、溫度為1400～2000℃下保溫保壓15～60min；所述的冷卻卸壓是停止通電加熱后樣品自然冷卻至常溫，然后卸壓至常壓。

2.根據權利要求1所述的一種高強度透明氮化硅陶瓷的高溫高壓制備方法，其特征在于，所述的高溫高壓合成，合成溫度為1800℃，合成壓力為5.5GPa。

3.根據權利要求1或2所述的一種高強度透明氮化硅陶瓷的高溫高壓制備方法，其特征在于，原料中α-Si₃N₄的粒徑為1～10微米，占混合物總質量的90％，β-Si₃N₄的粒徑為100nm，占混合物總質量的10％。