[發明專利]低溫多晶硅陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 202010514729.6
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111613578B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 羅成志
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

本申請公開了一種低溫多晶硅陣列基板的制備方法、陣列基板及顯示面板，通過減少LS層，并利用一道半色調光罩同時對介電層、鈍化層以及像素電極層進行圖案化，并在像素電極層上形成了具有不透區、半透區、全透區及全透區的光阻，不透區與半透區之間設置有0.5微米的全透區，所述全透區為透過率在75?90％的區域，用以增加所述光阻的錐度。

技術領域

本申請涉及顯示面板制造領域，尤其涉及一種節省光罩的低溫多晶硅陣列基板的制備方法、以該方法制備而成的陣列基板以及包括該陣列基板的顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)液晶顯示器(Liquid CrystalDisplay，LCD)具有耗電量小、對比度高、節省空間等優點，已成為市場上最主流的顯示裝置。與傳統非晶硅(A-Si)技術相比，低溫多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技術具有更高的載流子遷移率，被廣泛用于中小尺寸高分辨率的TFT-LCD和主動矩陣式有機發光二極管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)面板的制作，但相應的TFT陣列基板制作所需的光罩數量更多，產品制作周期更長。如何有效的降低LTPS陣列基板的制作周期，提升生產產能并降低成本，從而增加公司市場競爭力，是目前面板行業關注的重點，而改善此問題的有效的方法是開發新型LTPS陣列基板結構，減少陣列基板制作所需的光罩數量。

在傳統的LTPS陣列技術中，通常采用10道光罩(Mask)以上的技術，由此帶來較高的生產成本，并帶來較高的生產周期。

另外，傳統的半色調光罩(Halftone Mask)工藝造成顯影后的光阻圖案的臨界尺寸(Critical Dimension，CD)即刻蝕寬度與Mask的設計值差異較大，無法精確控制CD。

發明內容

本申請實施例提供一種節省光罩的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，以解決現有技術中存在的光罩數量過多，生產成本較高、生產周期較長以及CD無法精確控制的技術問題。

本申請實施例提供一種節省光罩的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，包括步驟1至步驟7，具體如下：

步驟1、提供一基板，并在所述基板上依次形成緩沖層、有源層、柵極絕緣層；

步驟2、在所述柵極絕緣層之上形成第一金屬層，并進行圖案化；

步驟3、在所述第一金屬層與所述柵極絕緣層上形成介電層；

步驟4、在所述介電層上形成公共電極層，并進行圖案化；

步驟5、在所述介電層及所述公共電極層之上形成鈍化層；

步驟6、在所述鈍化層上形成像素電極層，在所述像素電極層上涂布光阻并通過半色調光罩，對所述光阻進行曝光顯影，用以得到圖案化的所述光阻，圖案化的所述光阻分別形成三個區域，包括不透區、半透區及全透區，并在所述全透區下方形成兩個深孔及一個淺孔，所述淺孔穿過部分所述鈍化層，兩個所述深孔穿過所述鈍化層、所述介電層及部分所述柵極絕緣層；以及

步驟7、在所述兩個深孔、所述淺孔及所述鈍化層上形成第二金屬層，并進行圖案化，圖案化后的所述第二金屬層的漏極與所述像素電極相接；所述公共電極層與所述像素電極層為透明導電薄膜，透明導電薄膜和低電阻的金屬薄膜相連接，可降低電極和導線阻抗；

其中，所述有源層包括：溝道區、設置于溝道區兩側并對稱設置的兩個第一摻雜區以及設置于所述兩個第一摻雜區外側的第二摻雜區；

所述介電層、所述鈍化層及所述像素電極層是通過一個光罩進行圖案化的，以此，節省了Mask數量，降低了生產成本以及生產周期；