[發明專利]低溫多晶硅陣列基板的制備方法、陣列基板、顯示面板

有效

• 申請號: 202010514729.6
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN111613578B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 羅成志
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板，并在所述基板上依次形成緩沖層、有源層、柵極絕緣層；

步驟2、在所述柵極絕緣層之上形成第一金屬層，并進行圖案化；

步驟3、在所述第一金屬層與所述柵極絕緣層上形成介電層；

步驟4、在所述介電層上形成公共電極層，并進行圖案化；

步驟5、在所述介電層及所述公共電極層之上形成鈍化層；

步驟6、在所述鈍化層上形成像素電極層，在所述像素電極層上涂布光阻并通過半色調光罩，對所述光阻進行曝光顯影，用以得到圖案化的所述光阻，圖案化的所述光阻分別形成三個區域，包括不透區、半透區及全透區，并在所述全透區下方形成兩個深孔及一個淺孔，所述淺孔穿過部分所述鈍化層，兩個所述深孔穿過所述鈍化層、所述介電層及部分所述柵極絕緣層；以及

步驟7、在所述兩個深孔、所述淺孔及所述鈍化層上形成第二金屬層，并進行圖案化，圖案化后的所述第二金屬層的漏極與所述像素電極相接；

其中，所述有源層包括：溝道區、設置于溝道區兩側并對稱設置的兩個第一摻雜區以及設置于所述兩個第一摻雜區外側的第二摻雜區；

所述介電層、所述鈍化層及所述像素電極層是通過一個光罩進行圖案化的；

所述第二金屬層的源極與所述漏極分別通過兩個所述深孔與兩個所述第二摻雜區電性連接，所述第二金屬層的觸控電極通過所述淺孔與所述公共電極層電性連接；

所述不透區與所述半透區之間設置有0.5微米的全透區，所述全透區為透過率在75~90%的區域，用以增加所述光阻的錐度。

2.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述緩沖層可選自為氧化硅的單層膜、氧化硅和氮氧化硅的雙層膜、氧化硅和氮氧化硅和氮化硅的復合層膜。

3.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述有源層是非晶硅通過準分子激光退火后形成的低溫多晶硅。

4.如權利要求3所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述第一摻雜區與所述第二摻雜區中摻入的離子均為硼離子或者磷離子。

5.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述介電層的沉積方法為高溫氫化活化方式。

6.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，還包括：對所述公共電極層進行結晶化。

7.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述像素電極層為開口結構。

8.如權利要求1所述的低溫多晶硅陣列基板的制備方法，其特征在于，所述公共電極層與所述像素電極層的材質為銦鋅氧化物或銦錫氧化物。

9.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板是通過權利要求1-8中的任意一項制備方法制作而成的。

10.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括權利要求9所述的陣列基板。