[發明專利]適用于多種極端環境下的電子雷管專用芯片有效
| 申請號: | 202010514514.4 | 申請日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN111561845B | 公開(公告)日: | 2023-07-25 |
| 發明(設計)人: | 紀友哲;李長軍;色澤;倪瑞平;朱建勇 | 申請(專利權)人: | 融硅思創(北京)科技有限公司 |
| 主分類號: | F42C19/12 | 分類號: | F42C19/12;H03H9/02;H03H9/15;H03H9/19;H03L7/099 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100041 北京市石景山*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 適用于 多種 極端 環境 電子 雷管 專用 芯片 | ||
1.一種適用于多種極端環境下的電子雷管專用芯片,其特征在于:
芯片外設置有外部晶振,所述外部晶振對芯片內的內部振蕩器進行校準;
芯片內設置有內部振蕩器,通過內部振蕩器開關(S2)與芯片內的數字模塊連接,為數字模塊提供時鐘信號;
設置在芯片外部的外部晶振,通過外部晶振開關(S1)與芯片內的數字模塊連接,在延時校準時提供準確的時間脈沖;
數字模塊內設置有控制器;所述控制器連接外部晶振開關(S1)與內部振蕩器開關(S2);所述控制器通過通訊模塊與總線連接;
數字模塊內設置有存儲單元;
所述內部振蕩器連接有MEMS振蕩器和溫度補償電路;
所述MEMS振蕩器為下方芯片上方MEMS諧振器的堆棧式結構;
所述MEMS振蕩器包括經過標準SIP封裝的MEMS晶元和CMOS起振晶元;
延時校準時,通過BUS端提供延時校準信號,給一個延時校驗的時間,此時外部晶振開關(S1)、內部振蕩器開關(S2)導通,所述數字模塊采用所述外部晶振計數得到準確的時間的脈沖,用所述脈沖作為設置所述MEMS晶元和所述CMOS晶元共同組成的振蕩電路的使能脈沖,去計數所述使能脈沖下內部振蕩器的周期數,存儲在所述存儲單元下;
起爆時外部晶振開關(S1)斷開,內部振蕩器開關(S2)導通,用計數出的所述內部振蕩器的所述周期數作為起爆延時時間。
2.根據權利要求1所述的適用于多種極端環境下的電子雷管專用芯片,其特征在于:芯片與發火裝置連接,具體為沾有藥劑的橋絲或半導體橋換能芯片。
3.根據權利要求1所述的適用于多種極端環境下的電子雷管專用芯片,其特征在于:所述的外部晶振為石英晶振。
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