[發(fā)明專利]一種在感光芯片陣列上制作的透鏡模組及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010514031.4 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN111653580B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王林;李菲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華天慧創(chuàng)科技(西安)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;B81C1/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 姚詠華 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 感光 芯片 陣列 制作 透鏡 模組 方法 | ||
本發(fā)明提供一種在感光芯片陣列上制作的透鏡模組及方法,包括如下步驟:步驟1,先在感光芯片陣列上鍍制第一層光學(xué)膜層,之后在第一層光學(xué)膜層上壓制第一層殘留層,第一層殘留層位于感光芯片非感光區(qū)域之外的上方;步驟2,在第一層殘留層上鍍制第二層光學(xué)膜層,之后在第二層光學(xué)膜層上壓制第二層殘留層和透鏡,第二層殘留層位于感光芯片非感光區(qū)域之外的上方;步驟3,將感光芯片非感光區(qū)域上對(duì)應(yīng)第一層光學(xué)膜層和第二層光學(xué)膜層的部分剝離掉,完成感光芯片陣列上透鏡模組的制作,對(duì)感光芯片的PAD和布線有很強(qiáng)的保護(hù)作用。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及晶圓級(jí)納米壓印技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種在感光芯片陣列上制作的透鏡模組及方法。
背景技術(shù)
接觸式圖像傳感器(Contact?image?sensor,簡(jiǎn)稱CIS)是一種感光芯片,與它組合鏡頭具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、體積小、應(yīng)用方便等優(yōu)點(diǎn)。
傳統(tǒng)模組一直針對(duì)的是傳統(tǒng)透鏡模組的封裝,具體工藝是透鏡組裝成鏡頭后,通過AA機(jī)臺(tái)對(duì)準(zhǔn)。目前降低成本和提高產(chǎn)能的微透鏡陣列鏡頭是直接在感光芯片陣列上制作晶圓陣列鏡頭,然后切割成單個(gè)模組,但其中感光芯片或非感光區(qū)域的填充方式,與感光芯片的布線和PAD(PAD即焊線的點(diǎn))位置密切相關(guān)。
因此在感光芯片上直接制作透鏡模組的工藝過程需要對(duì)布線和PAD進(jìn)行保護(hù)。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題,本發(fā)明提供一種在感光芯片陣列上制作的透鏡模組及方法,對(duì)感光芯片的PAD和布線有很強(qiáng)的保護(hù)作用。
本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):
一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,包括如下步驟:
步驟1,先在感光芯片陣列上鍍制第一層光學(xué)膜層,之后在第一層光學(xué)膜層上壓制第一層殘留層,第一層殘留層位于感光芯片非感光區(qū)域之外的上方;
步驟2,在第一層殘留層上鍍制第二層光學(xué)膜層,之后在第二層光學(xué)膜層上壓制第二層殘留層和透鏡,第二層殘留層位于感光芯片非感光區(qū)域之外的上方;
步驟3,將感光芯片非感光區(qū)域上對(duì)應(yīng)第一層光學(xué)膜層和第二層光學(xué)膜層的部分剝離掉,完成感光芯片陣列上透鏡模組的制作。
優(yōu)選的,步驟1采用帶有間隔片的殘留層模具壓制第一層殘留層,所述殘留層模具帶有的間隔片填充在感光芯片的非感光區(qū)域,間隔片與第一層光學(xué)膜層周圍留有空隙。
優(yōu)選的,步驟1先在感光芯片陣列中感光芯片的非感光區(qū)域填充第一層光刻膠,待第一層光刻膠固化后,再在感光芯片陣列上鍍制第一層光學(xué)膜層;
步驟3將第一層光刻膠,以及感光芯片非感光區(qū)域上的對(duì)應(yīng)第一層光學(xué)膜層和第二層光學(xué)膜層的部分剝離掉。
進(jìn)一步,步驟2先在第一層光學(xué)膜層對(duì)應(yīng)的感光芯片非感光區(qū)域上填充第二層光刻膠,待第二層光刻膠固化后,再在第一層殘留層上鍍制第二層光學(xué)膜層;
步驟3將第一層光刻膠、感光芯片非感光區(qū)域上對(duì)應(yīng)第一層光學(xué)膜層的部分、第二層光刻膠和感光芯片非感光區(qū)域上對(duì)應(yīng)第二層光學(xué)膜層的部分剝離掉。
優(yōu)選的,步驟2采用帶有間隔片的透鏡模具壓制第二層殘留層和透鏡,所述模具帶有的間隔片填充在感光芯片的非感光區(qū)域,間隔片與第二層光學(xué)膜層周圍留有空隙。
優(yōu)選的,步驟3中,用剝離工藝對(duì)感光芯片非感光區(qū)域上對(duì)應(yīng)第一層光學(xué)膜層和第二層光學(xué)膜層的部分、第一層光刻膠、第二層光刻膠進(jìn)行剝離。
優(yōu)選的,帶有間隔片的殘留層模具中間隔片與第一層光學(xué)膜層的空隙為1-3μm;帶有間隔片的透鏡模具中間隔片與第二層光學(xué)膜層的空隙為1-3μm。
進(jìn)一步,帶有間隔片的殘留層模具中間隔片的高度與第一層殘留層的厚度相同或比第一層殘留層的厚度低1μm-3μm;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





