[發明專利]一種在感光芯片陣列上制作的透鏡模組及方法有效
| 申請號: | 202010514031.4 | 申請日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN111653580B | 公開(公告)日: | 2023-06-27 |
| 發明(設計)人: | 王林;李菲 | 申請(專利權)人: | 華天慧創科技(西安)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;B81C1/00 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 姚詠華 |
| 地址: | 710018 陜西省西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 感光 芯片 陣列 制作 透鏡 模組 方法 | ||
1.一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟1,先在感光芯片陣列上鍍制第一層光學膜層,之后在第一層光學膜層上壓制第一層殘留層,第一層殘留層位于感光芯片非感光區域之外的上方;
步驟2,在第一層殘留層上鍍制第二層光學膜層,之后在第二層光學膜層上壓制第二層殘留層和透鏡,第二層殘留層位于感光芯片非感光區域之外的上方;
步驟3,將感光芯片非感光區域上對應第一層光學膜層和第二層光學膜層的部分剝離掉,完成感光芯片陣列上透鏡模組的制作。
2.根據權利要求1所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,步驟1采用帶有間隔片的殘留層模具壓制第一層殘留層,所述殘留層模具帶有的間隔片填充在感光芯片的非感光區域,間隔片與第一層光學膜層周圍留有空隙。
3.根據權利要求1所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,步驟1先在感光芯片陣列中感光芯片的非感光區域填充第一層光刻膠,待第一層光刻膠固化后,再在感光芯片陣列上鍍制第一層光學膜層;
步驟3將第一層光刻膠,以及感光芯片非感光區域上的對應第一層光學膜層和第二層光學膜層的部分剝離掉。
5.根據權利要求2所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,步驟2采用帶有間隔片的透鏡模具壓制第二層殘留層和透鏡,所述模具帶有的間隔片填充在感光芯片的非感光區域,間隔片與第二層光學膜層周圍留有空隙。
6.根據權利要求1、權利要求3和權利要求4中任意一項所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,步驟3中,用剝離工藝對感光芯片非感光區域上對應第一層光學膜層和第二層光學膜層的部分、第一層光刻膠、第二層光刻膠進行剝離。
7.根據權利要求2和權利要求5中任意一項所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,帶有間隔片的殘留層模具中間隔片與第一層光學膜層的空隙為1-3μm;帶有間隔片的透鏡模具中間隔片與第二層光學膜層的空隙為1-3μm。
8.根據權利要求2和權利要求5中任意一項所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,帶有間隔片的殘留層模具中間隔片的高度與第一層殘留層的厚度相同或比第一層殘留層的厚度低1μm-3μm;
帶有間隔片的透鏡模具中間隔片的高度與第二層殘留層的厚度相同或比第二層殘留層的厚度低1μm-3μm。
9.根據權利要求5所述的一種在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法,其特征在于,所述第一層殘留層、第二層殘留層和透鏡的材質均為光學膠;
所述帶有間隔片的殘留層模具和帶有間隔片的透鏡模具的材質均為不銹鋼鍍鎳、鎳銅合金、黃銅、紫銅、紅銅、玻璃、硅橡膠或光刻膠。
10.一種由權利要求1所述的在感光芯片陣列上制作透鏡模組的方法得到的在感光芯片陣列上制作的透鏡模組。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華天慧創科技(西安)有限公司,未經華天慧創科技(西安)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010514031.4/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





