[發明專利]一種X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法在審
| 申請號: | 202010512124.3 | 申請日: | 2020-06-08 |
| 公開(公告)號: | CN111650231A | 公開(公告)日: | 2020-09-11 |
| 發明(設計)人: | 殷宏;太井超;閆學會;周垣;田子達 | 申請(專利權)人: | 天津鋼鐵集團有限公司 |
| 主分類號: | G01N23/223 | 分類號: | G01N23/223;G01N23/2202 |
| 代理公司: | 天津市鼎和專利商標代理有限公司 12101 | 代理人: | 張倩 |
| 地址: | 300301 *** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 射線 熒光 光譜分析 低硅硅鐵中 主要 元素 含量 方法 | ||
1.一種X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)用化學法對標準樣品進行定值,用壓片法將各個有化學法定值的標準樣品分別制成可供X射線熒光光譜儀分析的標準樣片,并用化學法值作為標準值建立標準曲線;
2)用X射線熒光光譜儀對上述標準樣片中的一個或幾個分別進行掃描,建立基礎分析條件;
3)標準曲線范圍中各元素含量Si為11.08-18.73%,Mn為0.12-0.42%,P為0.22-0.96%,對各個有化學法定值的標準樣片按照基礎分析條件用X射線熒光光譜儀分別進行測量,根據經驗系數法對標準曲線中的元素進行添加修正,進行擬合后,重新生成標準曲線;
4)用壓片法將待測樣品制成可供X射線熒光光譜儀分析的待測樣片;
5)待測樣片分析:再用X射線熒光光譜儀對待測樣片進行X射線熒光光譜分析。
2.根據權利要求1所述的X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法,其特征在于,所述標準樣片和待測樣片的制作方法是:將標準樣品或待測樣品經破碎、縮分、研磨后,充分混合均勻,標準樣品或待測樣品粒度達到150目以上;將標準樣品或待測樣品稱取5g-7g左右放置在UPHS型超高壓壓片機模具杯內,模具采用聚乙烯材質制成,放樣后小心將標準樣品或待測樣品鋪平,放置在壓片機成型壓力模具內;設定好壓力參數后,進行壓片操作;將制得的標準樣片或待測樣片置于密封保存袋中待測。
3.根據權利要求2所述的X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法,其特征在于,所述壓力設定為160噸-200噸,保壓時間為10秒。
4.根據權利要求3所述的X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法,其特征在于,進行壓片操作時分四段進行升壓操作,具體為:第一段壓力為30-40噸,保壓10秒;繼續升壓到第二段壓力為70-80噸,保壓10秒;繼續升壓到第三段壓力為130-150噸,保壓10秒;升壓到設定壓力160噸-200噸,再保壓10秒。
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