[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010511924.3
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN112071895A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 梁正吉;宋升珉;鄭秀真;裴東一;徐鳳錫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/04;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張帆

1.一種半導體裝置，包括：

有源區，其布置在襯底上，并且包括在第一方向上延伸的第一側壁和第二側壁；以及

外延圖案，其布置在所述有源區上，

其中，所述外延圖案包括分別從所述有源區的所述第一側壁和所述第二側壁延伸的第一外延側壁和第二外延側壁，

其中，所述第一外延側壁包括第一外延下側壁、第一外延上側壁以及連接所述第一外延下側壁和所述第一外延上側壁的第一外延連接側壁，

其中，所述第二外延側壁包括第二外延下側壁、第二外延上側壁以及連接所述第二外延下側壁和所述第二外延上側壁的第二外延連接側壁，

其中，所述第一外延上側壁與所述第二外延上側壁之間在與所述第一方向垂直的第二方向上的距離隨著與所述有源區相距的距離在與所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上增大而減小，并且

其中，所述第一外延下側壁和所述第二外延下側壁與所述襯底的頂表面平行地延伸。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延連接側壁與所述第二外延連接側壁之間的距離在遠離所述有源區的所述第三方向上實質上不變。

3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述第一外延連接側壁和所述第二外延連接側壁是彎曲的。

4.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，所述外延圖案包括連接所述第一外延連接側壁和所述第二外延連接側壁的外延頂表面，并且

其中，所述外延頂表面是彎曲的。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，

其中，所述外延圖案包括連接所述第一外延連接側壁和所述第二外延連接側壁的外延頂表面，并且

其中，所述外延頂表面包括與所述襯底的所述頂表面平行地延伸的部分。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

場絕緣膜，其布置在所述襯底上，并且覆蓋所述第一側壁和所述第二側壁，

其中，所述場絕緣膜部分地覆蓋所述第一外延下側壁和所述第二外延下側壁。

7.根據權利要求1所述的半導體裝置，還包括：

連接至所述外延圖案的至少一個納米片。

8.一種半導體裝置，包括：

有源區，其包括在第一方向上延伸的第一側壁和第二側壁；以及

外延圖案，其布置在所述有源區上，

其中，所述外延圖案包括分別從所述有源區的所述第一側壁和所述第二側壁延伸的第一外延側壁和第二外延側壁，

其中，所述第一外延側壁包括第一外延下側壁、第一外延上側壁以及連接所述第一外延下側壁和所述第一外延上側壁的第一外延連接側壁，

其中，所述第二外延側壁包括第二外延下側壁、第二外延上側壁以及連接所述第二外延下側壁和所述第二外延上側壁的第二外延連接側壁，

其中，所述第一外延上側壁和所述第二外延上側壁由第一晶面族中包括的晶面形成，并且

其中，所述第一外延連接側壁和所述第二外延連接側壁由與所述第一晶面族不同的第二晶面族中包括的晶面形成。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，

其中，所述第一晶面族是{111}晶面族，并且

其中，所述第二晶面族是{110}晶面族。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，

其中，所述第一外延下側壁和所述第二外延下側壁由第三晶面族中包括的晶面形成，并且

其中，所述第一晶面族和所述第三晶面族是{111}晶面族。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，

其中，所述第一外延下側壁和所述第二外延下側壁由第三晶面族中包括的晶面形成，

其中，所述第一晶面族是{111}晶面族，并且

其中，所述第三晶面族是{100}晶面族。