[發明專利]記憶體元件在審

申請號：	202010511919.2	申請日：	2020-06-08
公開（公告）號：	CN112531108A	公開（公告）日：	2021-03-19
發明（設計）人：	陳佑昇;邱大秦;吳昭誼;卡羅司·迪亞茲	申請（專利權）人：	臺灣積體電路制造股份有限公司
主分類號：	H01L45/00	分類號：	H01L45/00;H01L27/24
代理公司：	北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006	代理人：	徐金國
地址：	中國臺灣新竹市***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	記憶體元件
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【說明書】：

本揭露的部分實施例包括一記憶體元件，包含導電線、第一二維材料層、相變化元件和上電極。第一二維材料層位于導電線上方。相變化元件至少部分通過第一二維材料層和導電線分離。上電極位于相變化元件上方。

技術領域

本揭露是關于一種記憶體元件。

背景技術

快閃記憶體是非揮發性記憶體中一種廣泛使用的型態。然而，快閃記憶體預期會遭遇到尺寸縮減的困難。因此，非揮發性記憶體的替代方案正在發展中。這些非揮發性記憶體的替代方案包括相變化記憶體(phase change memory；PCM)。相變化記憶體是一種非揮發性記憶體，其中相變化元件的一種相操作于代表一個數據的單元。相變化記憶體具有快速的讀寫時間，非破壞性讀取，以及高擴展性。

發明內容

附圖說明

閱讀以下詳細敘述并搭配對應的附圖，可了解本揭露的多個態樣。應注意，根據業界中的標準做法，多個特征并非按比例繪制。事實上，多個特征的尺寸可任意增加或減少以利于討論的清晰性。

圖1為本揭露的部分實施例的記憶體元件的剖面圖；

圖2A至圖2K為本揭露的部分實施例的記憶體元件在不同制造階段的剖面圖；

圖3為本揭露的部分實施例的制造記憶體元件的方法；

圖4A為本揭露的部分實施例的記憶體元件的剖面圖；

第4B及圖4C為本揭露的部分實施例的在相變化記憶體單元中引入二維材料層顯示重置電流I_reset降低的模擬結果；

圖5、圖6及圖7A為本揭露的部分實施例的記憶體元件的剖面圖；

圖7B及圖7C為本揭露的部分實施例的在相變化記憶體單元中引入二維材料層顯示重置電流I_reset降低的模擬結果；

圖8為本揭露的部分實施例的記憶體元件的剖面圖；

圖9A至圖9F為本揭露的部分實施例的記憶體元件在不同制造階段的剖面圖。