[發明專利]記憶體元件在審
| 申請號： | 202010511919.2 | 申請日： | 2020-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN112531108A | 公開（公告）日： | 2021-03-19 |
| 發明（設計）人： | 陳佑昇;邱大秦;吳昭誼;卡羅司·迪亞茲 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 記憶體 元件 | ||
【權利要求書】：
1.一記憶體元件，其特征在于，包含:
一導電線；
一第一二維材料層，位于該導電線上方；
一相變化元件，至少部分通過該第一二維材料層和該導電線分離；以及
一上電極，位于該相變化元件上方。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于臺灣積體電路制造股份有限公司，未經臺灣積體電路制造股份有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010511919.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：多層電子組件
- 下一篇：一種用于葉根法蘭面加工的智能雙主軸端面銑床
