[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010511577.4
• 申請(qǐng)日: 2020-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN112599484A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱景升;徐晨祐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/488
• 分類號(hào): H01L23/488;H01L21/48;H01L27/092
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

1.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

結(jié)合墊，設(shè)置在半導(dǎo)體襯底之上；

刻蝕停止層，上覆在所述結(jié)合墊上；

緩沖層，設(shè)置在所述結(jié)合墊之上且將所述刻蝕停止層與所述結(jié)合墊隔開；以及

凸塊結(jié)構(gòu)，包括基部部分及上部部分，所述基部部分接觸所述結(jié)合墊的上表面，所述上部部分延伸穿過(guò)所述刻蝕停止層及所述緩沖層，其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述基部部分具有第一寬度或直徑且所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述上部部分具有第二寬度或直徑，所述第一寬度或直徑大于所述第二寬度或直徑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述基部部分在彎曲側(cè)壁處與所述緩沖層交會(huì)，且所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述上部部分在垂直側(cè)壁處與所述刻蝕停止層交會(huì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述刻蝕停止層是由第一材料構(gòu)成且所述緩沖層是由與所述第一材料不同的第二材料構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的底表面與所述緩沖層的底表面對(duì)齊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述上部部分包括：

下部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，包含第一導(dǎo)電材料；以及

上部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述下部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)之上，其中所述上部導(dǎo)電結(jié)構(gòu)包含與所述第一導(dǎo)電材料不同的第二導(dǎo)電材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，

其中所述結(jié)合墊的所述上表面包括外圍區(qū)及中心區(qū)，所述外圍區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底的上表面之上具有第一高度，所述中心區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底的所述上表面之上具有第二高度，所述第一高度大于所述第二高度；且

其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述基部部分在第三高度處與所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述上部部分交會(huì)，所述第三高度小于所述第一高度且大于所述第二高度。

7.一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，包括：

內(nèi)連結(jié)構(gòu)，上覆在襯底上，所述內(nèi)連結(jié)構(gòu)包括最頂部導(dǎo)電配線；

鈍化結(jié)構(gòu)，上覆在所述內(nèi)連結(jié)構(gòu)上；

結(jié)合墊，上覆在所述最頂部導(dǎo)電配線上，其中所述結(jié)合墊延伸穿過(guò)所述鈍化結(jié)構(gòu)且直接接觸所述最頂部導(dǎo)電配線的頂表面，其中所述結(jié)合墊具有在垂直方向上位于所述結(jié)合墊的頂表面下方的上表面，且其中所述結(jié)合墊的所述上表面在垂直方向上位于所述鈍化結(jié)構(gòu)的頂表面下方；

刻蝕停止層，上覆在所述結(jié)合墊及所述鈍化結(jié)構(gòu)上；

緩沖層，設(shè)置在所述刻蝕停止層與所述結(jié)合墊之間，其中所述結(jié)合墊沿著所述緩沖層的下側(cè)連續(xù)地延伸并以杯狀包圍所述緩沖層的所述下側(cè)；以及

凸塊結(jié)構(gòu)，包括基部部分及上部部分，所述基部部分接觸所述結(jié)合墊的所述上表面且設(shè)置在所述緩沖層內(nèi)，所述上部部分從所述基部部分向上延伸且延伸穿過(guò)所述刻蝕停止層及所述緩沖層，其中所述基部部分具有在所述緩沖層內(nèi)界定的第一寬度，且所述上部部分具有在所述緩沖層的頂表面上方界定的第二寬度，且其中所述第一寬度大于所述第二寬度。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，其中所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述基部部分是在所述緩沖層的底表面與所述緩沖層的上表面之間界定，所述緩沖層的所述底表面直接接觸所述結(jié)合墊的所述上表面，且所述緩沖層的所述上表面直接接觸所述刻蝕停止層，所述凸塊結(jié)構(gòu)的所述基部部分具有彎曲外側(cè)壁。