[發(fā)明專利]多層電子組件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010511344.4
• 申請日: 2020-06-08
• 公開（公告）號: CN112530698B
• 公開（公告）日: 2022-11-15
• 發(fā)明（設計）人: 金東英;申旴澈;趙志弘
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/232;H01G4/12
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉力夫;金光軍

1.一種多層電子組件，包括：

主體，包括介電層以及交替堆疊的第一內電極和第二內電極，且所述介電層介于所述第一內電極和所述第二內電極之間，所述主體包括在所述第一內電極和所述第二內電極的堆疊方向上彼此相對的第一表面和第二表面、彼此相對并且連接到所述第一表面和所述第二表面的第三表面和第四表面、以及彼此相對并且連接到所述第一表面至所述第四表面的第五表面和第六表面；

第一外電極，包括設置在所述主體的所述第三表面上的第一連接部和從所述第一連接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每個的至少一部分上的第一帶部，其中，所述第一連接部和所述第一帶部中的每個包括按順序布置在所述主體的外部上的第一電極層、第一導電樹脂層、第一鍍層和第一附加鍍層；

第二外電極，包括設置在所述主體的所述第四表面上的第二連接部和從所述第二連接部延伸到所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的每個的至少一部分上的第二帶部，其中，所述第二連接部和所述第二帶部中的每個包括按順序設置在所述主體的外部上的第二電極層、第二導電樹脂層、第二鍍層和第二附加鍍層；以及

Si有機化合物層，包括設置在所述主體的外表面的在所述第一外電極和所述第二外電極之間的區(qū)域上的主體覆蓋部、從所述主體覆蓋部延伸到所述第一帶部的所述第一鍍層和所述第一附加鍍層之間的區(qū)域的第一延伸部、以及從所述主體覆蓋部延伸到所述第二帶部的所述第二鍍層和所述第二附加鍍層之間的區(qū)域的第二延伸部。

2.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述Si有機化合物層包括烷氧基硅烷。

3.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，Tb/Ta為大于或等于0.5且小于或等于0.9，其中，所述第一帶部的所述第一電極層上的所述第一導電樹脂層的厚度定義為“Ta”，并且所述第一延伸部的厚度定義為“Tb”。

4.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述第一導電樹脂層和所述第二導電樹脂層包括導電金屬和基體樹脂。

5.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述第一電極層和所述第二電極層包括導電金屬和玻璃。

6.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述第一鍍層和所述第二鍍層被構造為Ni鍍層，并且所述第一附加鍍層和所述第二附加鍍層被構造為Sn鍍層。

7.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，所述多層電子組件還包括：第一開口和第二開口，所述第一開口限定在所述第一延伸部上，并且所述第二開口限定在所述第二延伸部上。

8.根據(jù)權利要求7所述的多層電子組件，其中，所述第一附加鍍層通過所述第一開口與所述第一鍍層接觸，并且所述第二附加鍍層通過所述第二開口與所述第二鍍層接觸。

9.根據(jù)權利要求1所述的多層電子組件，其中，所述Si有機化合物層的所述第一延伸部不在所述第一連接部的所述第一鍍層與所述第一附加鍍層之間延伸，并且

所述Si有機化合物層的所述第二延伸部不在所述第二連接部的所述第二鍍層和所述第二附加鍍層之間延伸。