[發(fā)明專利]三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010511335.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-08
• 公開（公告）號(hào): CN112447748A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金燦鎬;樸珠用;邊大錫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11529
• 分類號(hào): H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;韓芳

可以提供一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括第一芯片和堆疊在第一芯片上的第二芯片。第一芯片可以包括：第一基底，包括第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域；第一接觸插塞和第二接觸插塞；以及第一無源器件，位于第二接觸插塞上并且電連接到第二接觸插塞。第二芯片可以包括第二基底，第二基底包括分別與第一芯片的第二外圍電路區(qū)域和第一外圍電路區(qū)域豎直地疊置的單元陣列區(qū)域和接觸區(qū)域。第二芯片還可以包括柵電極以及設(shè)置在第二基底的接觸區(qū)域上和柵電極的端部上的單元接觸插塞。第一無源器件可以豎直地位于柵電極與第二接觸插塞之間并且可以包括第一接觸線。

本申請(qǐng)要求于2019年9月2日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0108222號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，所述韓國(guó)專利申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，具體地，涉及一種具有改善的電特性的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

背景技術(shù)

為了滿足消費(fèi)者對(duì)優(yōu)異性能和廉價(jià)價(jià)格的需求，需要半導(dǎo)體裝置的更高的集成度。就半導(dǎo)體裝置而言，由于其集成度是決定產(chǎn)品價(jià)格的重要因素，因此提高集成度尤其有利。就二維或平面半導(dǎo)體裝置而言，由于其集成度主要由單位存儲(chǔ)器單元所占據(jù)的面積決定，因此集成度極大地受精細(xì)圖案形成技術(shù)的水平的影響。然而，增加圖案精細(xì)度所需的極其昂貴的處理設(shè)備在增加二維或平面半導(dǎo)體裝置的集成度方面設(shè)置了實(shí)際限制。因此，最近已經(jīng)提出了包括三維布置的存儲(chǔ)器單元的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供了一種具有改善的電特性的三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，可以提供一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置，所述三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括第一芯片和堆疊在第一芯片上的第二芯片。第一芯片可以包括：第一基底，包括第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域；第一接觸插塞，位于第一基底的第一外圍電路區(qū)域上；第二接觸插塞；位于第一基底的第二外圍電路區(qū)域上；以及第一無源器件，位于第二接觸插塞上并且電連接到第二接觸插塞。第二芯片可以包括設(shè)置在第一芯片上的第二基底，第二基底包括分別與第一芯片的第二外圍電路區(qū)域和第一外圍電路區(qū)域豎直地疊置的單元陣列區(qū)域和接觸區(qū)域。第二芯片還可以包括：柵電極，堆疊在第二基底的單元陣列區(qū)域和接觸區(qū)域上，并且設(shè)置在第一芯片與第二芯片的第二基底之間；以及單元接觸插塞，設(shè)置在第二基底的接觸區(qū)域上和柵電極的端部上，并且連接到第一接觸插塞。第一無源器件可以豎直地位于柵電極與第二接觸插塞之間，并且可以包括第一接觸線。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：第一基底，具有第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域；第一晶體管，位于第一基底的第一外圍電路區(qū)域上；第一接觸插塞，連接到第一晶體管；第一接觸線，位于第一接觸插塞上；第二晶體管，位于第一基底的第二外圍電路區(qū)域上；以及第二接觸插塞，連接到第二晶體管。三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還可以包括：第二基底，設(shè)置在第一接觸線上，第二基底包括分別與第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域豎直地疊置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；柵電極，堆疊在第二基底的第二區(qū)域上并且位于第二基底與第二接觸插塞之間；以及單元接觸插塞，設(shè)置在第二基底的第二區(qū)域上和柵電極的端部上，并且連接到第二接觸插塞。第一接觸線可以與第二基底電斷開。

根據(jù)發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例，一種三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置包括：第一基底，具有第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域；第一晶體管，位于第一基底的第一外圍電路區(qū)域上；層間絕緣層，覆蓋第一基底的第一晶體管；以及第一接觸插塞，被設(shè)置為穿透層間絕緣層并且連接到第一晶體管。三維半導(dǎo)體存儲(chǔ)器裝置還可以包括：第一接觸線，位于第一接觸插塞上；第二基底，設(shè)置在層間絕緣層上，第二基底包括分別與第一外圍電路區(qū)域和第二外圍電路區(qū)域豎直地疊置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；柵電極，設(shè)置在第二基底與層間絕緣層之間并且堆疊在第二基底的第二區(qū)域上；以及垂直溝道部分，穿透柵電極。第一接觸線中的相鄰的第一接觸線可以構(gòu)成電容器的電極。

附圖說明

通過以下結(jié)合附圖進(jìn)行的簡(jiǎn)要描述，將更清楚地理解示例實(shí)施例。附圖表示如這里所描述的非限制性的示例實(shí)施例。