[發明專利]一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝

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• 申請號: 202010505762.2
• 申請日: 2020-06-05
• 公開（公告）號: CN111636077A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 黃皓;楊翠剛;李云仕;趙景勛;朱萬宇;饒軒;吳傳偉
• 申請（專利權）人: 成都宏明雙新科技股份有限公司
• 主分類號: C25D3/12
• 分類號: C25D3/12;C25D3/48;C25D5/02;C25D5/12;C25D5/54
• 代理公司: 成都巾幗知識產權代理有限公司 51260
• 代理人: 邢偉

本發明公開了一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，所述鍍鎳工藝具體包括以下步驟：S1、陶瓷芯片的預處理；S2、陶瓷芯片的鍍鎳工序：將步驟S2中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍鎳溶液的鍍鎳槽中，控制鍍鎳電流密度為0.5~2A/dm²，從而實現了在銀層或銅層上電鍍出鍍鎳層；所述鍍金工藝具體包括以下步驟：S3、陶瓷芯片的預處理；S4、陶瓷芯片的鍍鎳工序；S5、陶瓷芯片的鍍金工序：將步驟S4中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍金溶液的槽體中，鍍金溶液為檸檬酸，控制鍍金電流密度為0.2~1A/dm²，從而實現了在銀層或銅層表面上電鍍出鍍金層。本發明的有益效果是：提高鍍層質量、降低滲鍍能力、防止電鍍時產生爬鍍。

技術領域

本發明涉及在陶瓷芯片上電鍍鍍層的技術領域，特別是一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝。

背景技術

陶瓷芯片的芯片本體為陶瓷（1），如圖1所示，陶瓷（1）上燒結有厚度較薄的銀層或銅層（2），在工藝上要求在銀層或銅層（2）的頂表面上電鍍出鍍鎳層或鍍金層，以增加產品的部分區域的導電性能。然而，經實際電鍍后發現，鍍鎳層或鍍金層雖然能夠電鍍在銀層或銅層（2）的頂表面上，但是鍍鎳層或鍍金層還朝向陶瓷（1）的表面上延展而出現爬鍍（3）如圖2所示，爬鍍的產生不僅降低了鍍層的質量，同時還容易造成電極的導通產生短路。

其主要原因包括：

I、在陶瓷（1）的表面上附著有觸媒（4）如圖2所示，觸媒主要為燒結銅層或銀層時所產生的金屬銀或銅，當進行電鍍時，導致電鍍在銀層或銅層（2）上的鍍鎳層或鍍金層朝向觸媒（4）方向延展而形成爬鍍（3）。

II、在銀層或銅層（2）上鍍金時，采用的鍍金溶液為微氰體系且采用的電流密度為1~5A/dm²，而微氰體系滲鍍能力非常強，導致電鍍在銀層或銅層（2）上的鍍鎳層或鍍金層延展到銀層或銅層（2）的外邊緣，進而產生爬鍍；此外微氰體系帶有毒性，無疑對工人身體健康造成危害。III、在銀層或銅層（2）上鍍鎳時，采用的鍍鎳電流密度為4~10 A/dm²，而過大的電流密度無疑會提高鍍鎳溶液的滲鍍能力，同樣會導致電鍍在銀層或銅層（2）上的鍍鎳層或鍍金層延展到銀層或銅層（2）的外邊緣，進而產生爬鍍。因此亟需一種提高鍍層質量、降低滲鍍能力、防止電鍍時產生爬鍍的防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝。

發明內容

本發明的目的在于克服現有技術的缺點，提供一種提高鍍層質量、降低滲鍍能力、防止電鍍時產生爬鍍的防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝。

本發明的目的通過以下技術方案來實現：一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，它包括鍍鎳工藝和鍍金工藝：

所述鍍鎳工藝具體包括以下步驟：

S1、陶瓷芯片的預處理：將陶瓷芯片放入盛裝有弱堿性溶液的槽體中，通過弱堿性溶液除去陶瓷芯片上的油污，處理5~8min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有弱酸性溶液的槽體中，通過弱酸性溶液腐蝕掉附著于陶瓷上的觸媒，處理6~10min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有清水的槽體中，以清洗掉附著于陶瓷芯片表面上的殘留弱酸溶液，從而最終實現了陶瓷芯片的預處理；

S2、陶瓷芯片的鍍鎳工序：將步驟S1中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍鎳溶液的鍍鎳槽中，控制鍍鎳電流密度為0.5~2A/dm² ，從而實現了在銀層或銅層表面上電鍍出鍍鎳層；

所述鍍金工藝具體包括以下步驟：

S3、陶瓷芯片的預處理：將陶瓷芯片放入盛裝有弱堿性溶液的槽體中，通過弱堿性溶液除去陶瓷芯片上的油污，處理5~8min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有弱酸性溶液的槽體中，通過弱酸性溶液腐蝕掉附著于陶瓷上的觸媒，處理6~10min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有清水的槽體中，以清洗掉附著于陶瓷芯片表面上的殘留弱酸溶液，從而最終實現了陶瓷芯片的預處理；