[發明專利]一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝

在審

• 申請號: 202010505762.2
• 申請日: 2020-06-05
• 公開（公告）號: CN111636077A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 黃皓;楊翠剛;李云仕;趙景勛;朱萬宇;饒軒;吳傳偉
• 申請（專利權）人: 成都宏明雙新科技股份有限公司
• 主分類號: C25D3/12
• 分類號: C25D3/12;C25D3/48;C25D5/02;C25D5/12;C25D5/54
• 代理公司: 成都巾幗知識產權代理有限公司 51260
• 代理人: 邢偉

1.一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，其特征在于：它包括鍍鎳工藝和鍍金工藝：

所述鍍鎳工藝具體包括以下步驟：

S1、陶瓷芯片的預處理：將陶瓷芯片放入盛裝有弱堿性溶液的槽體中，通過弱堿性溶液除去陶瓷芯片上的油污，處理5~8min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有弱酸性溶液的槽體中，通過弱酸性溶液腐蝕掉附著于陶瓷（1）上的觸媒，處理6~10min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有清水的槽體中，以清洗掉附著于陶瓷芯片表面上的殘留弱酸溶液，從而最終實現了陶瓷芯片的預處理；

S2、陶瓷芯片的鍍鎳工序：將步驟S1中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍鎳溶液的鍍鎳槽中，控制鍍鎳電流密度為0.5~2A/dm² ，從而實現了在銀層或銅層（2）表面上電鍍出鍍鎳層；

所述鍍金工藝具體包括以下步驟：

S3、陶瓷芯片的預處理：將陶瓷芯片放入盛裝有弱堿性溶液的槽體中，通過弱堿性溶液除去陶瓷芯片上的油污，處理5~8min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有弱酸性溶液的槽體中，通過弱酸性溶液腐蝕掉附著于陶瓷（1）上的觸媒，處理6~10min后，將陶瓷芯片放入到盛裝有清水的槽體中，以清洗掉附著于陶瓷芯片表面上的殘留弱酸溶液，從而最終實現了陶瓷芯片的預處理；

S4、將步驟S3中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍鎳溶液的鍍鎳槽中，以在銀層或銅層（2）上預先電鍍一層鍍鎳層；

S5、陶瓷芯片的鍍金工序：將步驟S4中的陶瓷芯片浸入盛裝有鍍金溶液的槽體中，鍍金溶液為檸檬酸，控制鍍金電流密度為0.2~1A/dm² ，通過電鍍將金電鍍在鍍鎳層上，從而實現了在銀層或銅層（2）表面上電鍍出鍍金層。

2.根據權利要求1所述的一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，其特征在于：所述步驟S2中鍍鎳溶液由濃度分別為250~300g/L硫酸鎳，40~45g/L硼酸，10~15g/L氯化鎳，25~30g/L高速半光鎳添加劑組成，鍍鎳溶液的pH值為3.8~4.2，鍍鎳溶液的溫度為60±2°C。

3.根據權利要求1所述的一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，其特征在于：所述弱堿性溶液為NaCO₃溶液和Na₃PO₄溶液中任意一種或多種。

4.根據權利要求1所述的一種防陶瓷芯片鍍鎳或金爬鍍的工藝，其特征在于：所述弱酸性溶液為稀硫酸。