[發(fā)明專(zhuān)利]一種晶圓級(jí)封裝方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010501967.3
• 申請(qǐng)日: 2020-06-04
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111554585A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張文斌
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廈門(mén)通富微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/56
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅(jiān)怡

1.一種晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述晶圓級(jí)封裝方法包括：

將包括多個(gè)芯片的晶圓設(shè)置在承載片上，每個(gè)所述芯片的功能面上設(shè)置有多個(gè)焊盤(pán)，且每個(gè)所述芯片的所述功能面朝向所述承載片；

在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)形成多個(gè)第一凹槽，分屬于不同芯片的相鄰的至少兩個(gè)所述焊盤(pán)具有從同一個(gè)所述第一凹槽中露出區(qū)域；

在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以及所述第一凹槽內(nèi)形成再布線層，所述再布線層與從所述第一凹槽中露出的所述焊盤(pán)電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)形成多個(gè)第一凹槽，包括：

利用蝕刻工藝在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)形成多個(gè)所述第一凹槽，且所述焊盤(pán)從所述第一凹槽中露出的區(qū)域面積超過(guò)所述焊盤(pán)面積的一半。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述將包括多個(gè)芯片的晶圓設(shè)置在承載片上，包括：

利用鍵合膠將所述多個(gè)芯片的所述功能面與所述承載片固定連接；

研磨所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以使所述晶圓的厚度減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，

所述在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以及所述第一凹槽內(nèi)形成再布線層之前包括：

在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)形成絕緣層，所述絕緣層對(duì)應(yīng)所述第一凹槽的位置設(shè)置有第一開(kāi)口，所述第一凹槽位置處的所有所述焊盤(pán)包括從所述第一開(kāi)口中露出的部分；

所述在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以及所述第一凹槽內(nèi)形成再布線層，包括：

在所述絕緣層和從所述絕緣層中露出的所述焊盤(pán)表面形成所述再布線層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，

所述第一開(kāi)口的寬度小于所述第一凹槽的寬度，所述絕緣層覆蓋所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以及所述第一凹槽的側(cè)壁，所述再布線層與從所述第一開(kāi)口中露出的所述焊盤(pán)的表面電連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述晶圓遠(yuǎn)離所述承載片的一側(cè)以及所述第一凹槽內(nèi)形成再布線層之后，包括：

在所述再布線層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋所述再布線層以及未被所述再布線層覆蓋的所述焊盤(pán)；

在所述保護(hù)層表面形成第二開(kāi)口，所述再布線層從所述第二開(kāi)口中露出；

在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成焊球。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成焊球之后，還包括：

在所述承載片設(shè)置有所述晶圓一側(cè)形成第一塑封層，所述焊球從所述第一塑封層中露出；

切割掉相鄰所述芯片之間的部分所述承載片、所述晶圓以及所述第一塑封層。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述第二開(kāi)口內(nèi)形成焊球之后，還包括：

切割掉相鄰所述芯片之間的部分所述承載片以及所述晶圓，以獲得包含單顆所述芯片的芯片封裝體。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述切割掉相鄰所述芯片之間的部分所述承載片以及所述晶圓，以獲得包含單顆所述芯片的芯片封裝體之后，包括：

將多個(gè)所述芯片封裝體黏貼在載板上；

在所述芯片封裝體的兩側(cè)以及所述芯片封裝體遠(yuǎn)離所述載板的一側(cè)形成第二塑封層，所述焊球從所述第二塑封層中露出。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶圓級(jí)封裝方法，其特征在于，所述在所述芯片封裝體的兩側(cè)以及所述芯片封裝體遠(yuǎn)離所述載板的一側(cè)形成第二塑封層之后，包括：

切割掉相鄰的所述芯片封裝體之間的所述第二塑封層；

將所述載板去除。