[發(fā)明專利]一種晶圓級封裝體和芯片封裝體

在審

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• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111640720A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張文斌
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/498;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280
• 代理人: 黎堅怡

本申請公開了一種晶圓級封裝體和芯片封裝體，該晶圓級封裝體包括：承載片、晶圓和再布線層，其中，晶圓位于承載片一側(cè)，晶圓上包含多個芯片，芯片功能面上設(shè)有多個焊盤，且每個芯片的功能面朝向承載片，晶圓遠離承載片的一側(cè)設(shè)有多個第一凹槽，分屬于不同芯片的相鄰的至少兩個焊盤具有從同一個第一凹槽中露出區(qū)域；再布線層位于晶圓遠離承載片的一側(cè)，且至少部分再布線層與從第一凹槽內(nèi)露出的焊盤電連接。通過上述方式，本申請所提供的晶圓級封裝體上的第一凹槽橫跨兩個芯片上相鄰的焊盤，第一凹槽的尺寸較大使得在開設(shè)第一凹槽時，能夠降低對精度的要求，減小芯片在加工過程中斷裂的風(fēng)險。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種晶圓級封裝體和芯片封裝體。

背景技術(shù)

晶圓級封裝(WLP，Wafer Level Package)的一般定義為直接在晶圓上進行大多數(shù)或是全部的封裝測試程序，之后再進行切割制成單顆組件。其主要應(yīng)用于手機放大器與前端模塊、CMOS圖像傳感器等各式半導(dǎo)體產(chǎn)品。

在進行晶圓級封裝時，有些芯片需要在芯片背面上開設(shè)通孔并將芯片正面的信號從通孔內(nèi)引到芯片的背面，對于這類芯片，由于開設(shè)通孔的尺寸小，工藝較復(fù)雜且難度較大，在封裝過程中晶圓級封裝體容易出現(xiàn)裂片等問題，導(dǎo)致芯片的良品率較低。

發(fā)明內(nèi)容

本申請主要解決的技術(shù)問題是提供一種晶圓級封裝體和芯片封裝體，能夠在開設(shè)第一凹槽時，降低對精度的要求，減小芯片在加工過程中斷裂的風(fēng)險

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的一個技術(shù)方案是：提供一種晶圓級封裝體，該晶圓級封裝體包括：

承載片、晶圓和再布線層，其中，晶圓，位于所述承載片一側(cè)，所述晶圓上包含多個芯片，所述芯片功能面上設(shè)有多個焊盤，且每個所述芯片的所述功能面朝向所述承載片，所述晶圓遠離所述承載片的一側(cè)設(shè)有多個第一凹槽，分屬于不同芯片的相鄰的至少兩個所述焊盤具有從同一個所述第一凹槽中露出區(qū)域；再布線層，位于所述晶圓遠離所述承載片的一側(cè)，且至少部分所述再布線層與從所述第一凹槽內(nèi)露出的所述焊盤電連接。

其中，所述焊盤從所述第一凹槽中露出的區(qū)域面積超過所述焊盤面積的一半。

其中，所述晶圓級封裝體還包括：絕緣層，位于所述再布線層和所述晶圓之間，所述絕緣層覆蓋所述晶圓遠離所述承載片的一側(cè)和所述第一凹槽的側(cè)壁；其中，所述絕緣層對應(yīng)所述第一凹槽的位置設(shè)置有第一開口，所述第一凹槽位置處的所有所述焊盤包括從所述第一開口中露出的部分。

其中，所述第一開口的寬度小于所述第一凹槽的寬度，所述再布線層與從所述第一開口內(nèi)露出的所述焊盤的表面電連接。

其中，所述晶圓級封裝體還包括：鍵合膠，位于所述承載片和所述芯片功能面之間，且所述芯片功能面與所述鍵合膠固定連接。

其中，所述晶圓級封裝體還包括：保護層，覆蓋所述再布線層以及未被所述再布線層覆蓋的所述焊盤；其中，位于所述芯片的非功能面上方的所述保護層設(shè)置有第二開口，所述再布線層從所述第二開口中露出。

其中，所述晶圓級封裝體還包括：焊球，位于所述第二開口內(nèi)且凸出于所述第二開口，所述焊球與從所述第二開口中露出的所述再布線層電連接。

其中，所述晶圓級封裝體還包括：塑封層，位于所述保護層一側(cè)且填滿所述第一凹槽；所述焊球從所述塑封層中露出。

為解決上述技術(shù)問題，本申請采用的另一個技術(shù)方案是：提供一種芯片封裝體，該芯片封裝體包括：承載片、芯片和再布線層，其中，芯片，位于所述承載片一側(cè)，所述芯片功能面上設(shè)有多個焊盤，且所述芯片的所述功能面朝向所述承載片，所述芯片非功能面上的至少一側(cè)邊緣設(shè)有盲槽，且至少一個所述焊盤從所述盲槽中露出；再布線層，位于所述芯片遠離所述承載片的一側(cè)，且至少部分所述再布線層與從所述盲槽中露出的所有所述焊盤電連接。