[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010501683.4
• 申請(qǐng)日: 2020-06-04
• 公開（公告）號(hào): CN111650791A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 譚敏力;胡小波;劉健;彭釗;江奇峰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

一種陣列基板及其制備方法，陣列基板具有一襯底基板，陣列基板包括設(shè)置于襯底基板上的一導(dǎo)電膜層，導(dǎo)電膜層包括一金屬電極層和設(shè)置于金屬電極層背離襯底基板的一側(cè)表面上的一第一阻擋層；第一阻擋層在背離金屬電極層一側(cè)的表面上具有多個(gè)微孔并附著有疏水性基團(tuán)。本申請(qǐng)實(shí)施例陣列基板能夠?qū)崿F(xiàn)第一阻擋層背離金屬電極層一側(cè)的表面與光刻膠層之間附著力的改善。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法。

背景技術(shù)

隨著平板顯示技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者對(duì)大尺寸、高刷新率、高分辨率產(chǎn)品的需求與日俱增。金屬銅(Cu)有更低的電阻，能明顯減少RC Delay(RC電路延遲)，金屬銅成為目前主流的導(dǎo)電金屬材料之一。但是導(dǎo)電層即銅膜層與玻璃基板以及介電層的附著力較差，介電層的材料為SiNx和SiO2，尤其是在沉積介電層的制程中經(jīng)退火(Anneal)等高溫處理后，容易出現(xiàn)介電層的剝離(peeling)現(xiàn)象。

在TFT-LCD等半導(dǎo)體制程中，一般通過(guò)在銅膜層的底部(Bottom)及頂部(Top)沉積阻擋(Barrier)層形成三層金屬結(jié)構(gòu)作為導(dǎo)電膜層，圖1A為銅膜層作為導(dǎo)電膜層時(shí)的膜層剝離現(xiàn)象示意圖，圖1B為三層金屬結(jié)構(gòu)作為導(dǎo)電膜層以改善膜層剝離現(xiàn)象的示意圖，如圖1A所示的，導(dǎo)電膜層即銅膜層200與介電層300發(fā)生剝離，如圖1B所示的，所述導(dǎo)電膜層即所述三層金屬結(jié)構(gòu)200包括依次層疊的第一阻擋層210、銅膜層220及第二阻擋層230，所述第一阻擋層210和所述第二阻擋層230用以實(shí)現(xiàn)提高導(dǎo)電膜層200與玻璃基板100以及介電層300的附著力。

阻擋(Barrier)層的材料一般可為Mo、MoTi、Ti、W、Ta、Mo alloy等。然而，一般阻擋層的材料的極性較強(qiáng)，表面能高，親水性優(yōu)于銅，導(dǎo)致與疏水性較強(qiáng)的光刻膠(PR)親和力較低，附著力較差。如圖1C所示的，圖1C為三層金屬結(jié)構(gòu)作為導(dǎo)電膜層與光刻膠層發(fā)生剝離現(xiàn)象的示意圖，在實(shí)際刻蝕(Etch)制程中，容易導(dǎo)致光刻膠剝離(Peeling)，是目前三層金屬結(jié)構(gòu)量產(chǎn)亟待解決的制程問(wèn)題。

因此，為了改善所述三層金屬結(jié)構(gòu)的所述第二阻擋層的界面性質(zhì)，以實(shí)現(xiàn)對(duì)所述三層金屬結(jié)構(gòu)即所述導(dǎo)電膜層的光刻膠(PR)附著力性能進(jìn)行改善，現(xiàn)需提供一種陣列基板及其制備方法。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種陣列基板及其制備方法，陣列基板包括一導(dǎo)電膜層，導(dǎo)電膜層包括層疊設(shè)置的一金屬電極層和一第一阻擋層，第一阻擋層在背離金屬電極層一側(cè)的表面上具有多個(gè)微孔并附著有疏水性基團(tuán)，以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電膜層的第一阻擋層背離金屬電極層一側(cè)的表面與光刻膠的附著力增強(qiáng)的目的。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種陣列基板，具有一襯底基板，所述陣列基板包括設(shè)置于所述襯底基板上的一導(dǎo)電膜層，所述導(dǎo)電膜層包括一金屬電極層和設(shè)置于所述金屬電極層背離所述襯底基板一側(cè)表面的一第一阻擋層；其中，所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側(cè)的表面上具有多個(gè)微孔并附著有疏水性基團(tuán)。

在一些實(shí)施例中，所述疏水性基團(tuán)為-CH₃、-NH-中的至少一種。

在一些實(shí)施例中，所述導(dǎo)電膜層還包括一第二阻擋層，所述第二阻擋層設(shè)置于所述金屬導(dǎo)電層靠近所述襯底基板的一側(cè)表面。

在一些實(shí)施例中，所述第一阻擋層的材料選自鉬鉭合金、鉬、鈦、鉬鈦合金及鉬鈮合金中中的至少一種；所述第二阻擋層的材料選自鉬鉭合金、鉬、鈦、鉬鈦合金及鉬鈮合金中中的至少一種。

在一些實(shí)施例中，所述金屬電極層的材料為銅。本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括步驟：

在一襯底基板上形成一導(dǎo)電膜層，其中，所述導(dǎo)電膜層包括依次層疊設(shè)置于所述襯底基板上的一金屬電極層及一第一阻擋層；

在所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側(cè)的表面上形成多個(gè)微孔；以及，