[發明專利]陣列基板及其制備方法

在審

• 申請號: 202010501683.4
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111650791A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發明（設計）人: 譚敏力;胡小波;劉健;彭釗;江奇峰
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1343
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 徐世俊

1.一種陣列基板，具有一襯底基板，其特征在于，所述陣列基板包括設置于所述襯底基板上的一導電膜層，所述導電膜層包括一金屬電極層和設置于所述金屬電極層背離所述襯底基板的一側表面上的一第一阻擋層；其中，所述第一阻擋層在背離所述金屬電極層一側的表面上具有多個微孔并附著有疏水性基團。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述疏水性基團為-CH₃或-NH-中的至少一種。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導電膜層還包括一第二阻擋層，所述第二阻擋層設置于所述金屬電極層靠近所述襯底基板的一側表面。

4.如權利要求1至3中任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述第一阻擋層的材料選自鉬鉭合金、鉬、鈦、鉬鈦合金及鉬鈮合金中的至少一種；所述第二阻擋層的材料選自選自鉬鉭合金、鉬、鈦、鉬鈦合金及鉬鈮合金中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬電極層的材料為銅。

6.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括步驟：

在一襯底基板上形成一導電膜層，其中，所述導電膜層包括依次層疊設置于所述襯底基板上的一金屬電極層及一第一阻擋層；

在所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面上形成多個微孔；以及，

對所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面進行化學修飾，以使得所述第一阻擋層在背離所述金屬電極層一側的表面上附著有疏水性基團。

7.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面上形成多個微孔的步驟中，在氧自由基、氮氣與等離子體氣體的混合氛圍中對所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面進行等離子體處理，以形成多個微孔。

8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面上形成多個微孔的步驟中，等離子體處理的能量范圍為10千瓦～20千瓦，等離子體處理的時間為10秒～40秒。

9.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在對所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面進行化學修飾的步驟中，通過將所述陣列基板置于化學藥液中，以使得所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面上附著疏水性基團，其中，所述化學藥液為含有-CH₃、-NH-的混合溶液。

10.如權利要求9所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，在對所述第一阻擋層背離所述金屬電極層一側的表面進行化學修飾的步驟中，所述陣列基板置于化學藥液中的時間為120秒～480秒。