[發(fā)明專(zhuān)利]半導(dǎo)體單元器件在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010501168.6 | 申請(qǐng)日： | 2020-06-04 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113764410A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-12-07 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李卿;劉紅霞;曹鵬輝;黃高中;徐烈偉;俞軍 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海復(fù)旦微電子集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/092 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/092;H01L23/528;H01L23/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人： | 周書(shū)敏;張振軍 |
| 地址： | 200433 上海市楊浦區(qū)*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 單元 器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體單元器件，其特征在于，包括：電源區(qū)、PMOS管、NMOS管、接地區(qū)、輸出端、金屬連接層，所述金屬連接層包括第一金屬互連線及第二金屬互連線，其中，
所述PMOS管的源極與所述電源區(qū)耦接，所述PMOS的柵極與所述第一金屬互連線耦接；
所述NMOS管的源極與所述接地區(qū)耦接，所述NMOS管的柵極與所述第一金屬互連線耦接；
所述輸出端與所述第二金屬互連線耦接；
所述第一金屬互連線上設(shè)置有可配置的第一通孔結(jié)構(gòu)，所述可配置的第一通孔結(jié)構(gòu)的位置可配置，以將所述第一金屬互連線連接于選定的第一對(duì)象；所述第二金屬互連線上設(shè)置有可配置的第二通孔結(jié)構(gòu)，所述可配置的第二通孔結(jié)構(gòu)的位置可配置，以將所述第二金屬互連線連接于選定的第二對(duì)象，以使得所述第二對(duì)象與所述輸出端導(dǎo)通，其中，所述第一對(duì)象為所述PMOS管的漏極和所述NMOS管的漏極的其中一個(gè)，所述第二對(duì)象為所述PMOS管的漏極和所述NMOS管的漏極中的另一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體單元器件，其特征在于，
所述PMOS管對(duì)應(yīng)的PMOS管有源區(qū)位于所述電源區(qū)與所述NMOS管對(duì)應(yīng)的NMOS管有源區(qū)之間；
所述NMOS管有源區(qū)位于所述PMOS管有源區(qū)與所述接地區(qū)之間；
所述PMOS管的柵極將所述PMOS管有源區(qū)分為PMOS管第一有源區(qū)321及PMOS管第二有源區(qū)；
所述NMOS管的柵極將所述NMOS管有源區(qū)分為NMOS管第一有源區(qū)及NMOS管第二有源區(qū)；
所述第一金屬互連線的第一端位于所述PMOS管第一有源區(qū)上方，所述第一金屬互連線的第二端位于所述NMOS管第一有源區(qū)上方；
所述第二金屬互連線的第一端位于所述PMOS管第二有源區(qū)上方，所述第二金屬互連線的第二端位于所述NMOS管第二有源區(qū)上方。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體單元器件，其特征在于，還包括：柵極部及第五通孔結(jié)構(gòu)，其中：
所述柵極部的第一端作為所述PMOS管的柵極，所述柵極部的第二端作為所述NMOS管的柵極；
所述金屬連接層還包括第七金屬互連線，所述第七金屬互連線的第一端與所述第一金屬互連線耦接，所述第七金屬互連線的第二端與所述柵極部連接；
所述第五通孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第七金屬互連線的第二端，以將所述PMOS管的柵極及所述NMOS管的柵極均與所述第一金屬互連線導(dǎo)通。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體單元器件，其特征在于，
所述可配置的第一通孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第一金屬互連線的第二端，所述NMOS管第一有源區(qū)與所述PMOS管的柵極導(dǎo)通，所述NMOS管第一有源區(qū)作為所述NMOS管的漏極；
所述可配置的第二通孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第二金屬互連線的第一端，所述PMOS管第二有源區(qū)與所述第二金屬互連線導(dǎo)通，所述PMOS管第二有源區(qū)作為所述PMOS管的漏極。
5.如權(quán)利要求2～4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體單元器件，其特征在于，還包括：可配置的第三通孔結(jié)構(gòu)、可配置的第四通孔結(jié)構(gòu)，所述金屬連接層還包括：第三金屬互連線、第四金屬互連線、第五金屬互連線、第六金屬互連線，其中：
所述第三金屬互連線的第一端位于所述電源區(qū)的上方，所述第三金屬互連線的第二端位于所述PMOS管第一有源區(qū)的上方；
所述第四金屬互連線的第一端位于所述電源區(qū)的上方，所述第四金屬互連線的第二端位于所述PMOS管第二有源區(qū)的上方；
所述第五金屬互連線的第一端位于所述NMOS管第一有源區(qū)的上方，所述第五金屬互連線的第二端位于所述接地區(qū)的上方；
所述第六金屬互連線的第一端位于所述NMOS管第二有源區(qū)的上方，所述第六金屬互連線的第二端位于所述接地區(qū)的上方；
所述可配置的第三通孔結(jié)構(gòu)的位置可配置，所述可配置的第三通孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第三金屬互連線的第二端；
所述可配置的第四通孔結(jié)構(gòu)的位置可配置，所述可配置的第四通孔結(jié)構(gòu)設(shè)置于所述第六金屬互連線的第一端。
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- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
