[發明專利]液處理裝置和液處理方法

在審

• 申請號: 202010500958.2
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112071771A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 梶原英樹;米光祐彌;山中晉一郎;水篠真一;飯田成昭;川上浩平;東徹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/027
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供液處理裝置和液處理方法。針對向基板供給涂敷液而形成涂敷膜的液處理裝置，獲得高生產率且省空間。構成如下裝置，其具備：第1噴嘴，其在基板之上的各第1噴出位置向該基板噴出第1處理液，以各基板保持部為單位設置；第2噴嘴，其在各基板之上的第2噴出位置以遲于第1處理液從第1噴嘴的噴出的方式向該基板噴出涂敷膜形成用的第2處理液，被多個基板保持部共用；第3噴嘴，其為了在保持于各基板保持部的基板之上的第3噴出位置向基板噴出第3處理液而以各基板保持部為單位設置；回轉機構，其使第1噴嘴于俯視時在第1待機部與第1噴出位置之間回轉；以及直動機構，其使第3噴嘴于俯視時在第3待機部與第3噴出位置之間直線移動。

技術領域

本公開涉及一種涂敷裝置和涂敷方法。

背景技術

在半導體器件的制造工序中使用涂敷裝置，對作為基板的半導體晶圓(以下，記載為晶圓)供給抗蝕劑等涂敷膜形成用的處理液而形成涂敷膜。在專利文獻1中記載有一種作為涂敷裝置的液處理裝置，該作為涂敷裝置的液處理裝置具備：兩個處理單元，其處理晶圓；噴嘴組，其由許多噴嘴構成；溫度調整單元，其使噴嘴組待機；以及噴嘴移動機構。上述的噴嘴移動機構在處理單元與溫度調整單元之間輸送從噴嘴組所選擇的一個噴嘴。對于上述的噴嘴移動機構、噴嘴組以及溫度調整單元，被兩個處理單元共用。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2010-34210號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開提供一種能夠針對向基板供給涂敷液而形成涂敷膜的涂敷裝置獲得高生產率、且省空間的技術。

用于解決問題的方案

本公開的液處理裝置具備：

多個基板保持部，其分別保持基板；

第1噴嘴，其為了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第1噴出位置向該基板噴出第1處理液而以各所述基板保持部為單位設置；

第2噴嘴，其相對于所述第1噴嘴獨立地移動，在保持于各所述基板保持部的基板之上的第2噴出位置以遲于所述第1處理液的噴出的方式向該基板噴出涂敷膜形成用的第2處理液，該第2噴嘴被所述多個基板保持部共用；

第3噴嘴，其相對于所述第1噴嘴以及所述第2噴嘴獨立地移動，為了在保持于各所述基板保持部的基板之上的第3噴出位置于未向所述基板進行所述第1處理液和所述第2處理液的供給時向所述基板噴出第3處理液而以各所述基板保持部為單位設置；

第1待機部、第2待機部和第3待機部，其使所述第1噴嘴、所述第2噴嘴、所述第3噴嘴分別于俯視時在所述基板由各基板保持部保持的保持區域的外側待機；

回轉機構，其使所述第1噴嘴于俯視時在所述第1待機部與所述第1噴出位置之間回轉；以及

直動機構，其使所述第3噴嘴于俯視時在所述第3待機部與所述第3噴出位置之間直線移動。

對于上述的液處理裝置，也可以是，自所述第1噴嘴對所述基板供給稀釋劑作為第1處理液，自所述第2噴嘴對所述基板供給在所述基板上形成膜的處理液作為所述第2處理液。

對于上述的液處理裝置，也可以是，所述第3噴嘴向所述基板的周緣部供給所述第3處理液。

對于上述的液處理裝置，也可以是，除了所述第1噴出位置和所述第2噴出位置設為在俯視時相互重疊的通用噴出位置的情況的該通用噴出位置之外，所述第1待機部與第1噴出位置之間的所述第1噴嘴在俯視時的第1移動軌跡、所述第2待機部與第2噴出位置之間的所述第2噴嘴在俯視時的第2移動軌跡、以及所述第3待機部與第3噴出位置之間的所述第3噴嘴在俯視時的第3移動軌跡互不重疊。