[發(fā)明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010500322.8
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112071752A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 高橋毅;岡田充弘;藤井康;布重裕;川崎真司;桑田拓岳;高木俊夫
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種基板處理方法，是基板處理裝置的基板處理方法，該基板處理裝置具備：

處理容器，其具有用于載置基板的能夠升降的載置臺；

構件，在該構件與所述載置臺之間形成處理空間；

原料氣體供給部，其向所述處理容器內供給原料氣體；

反應氣體供給部，其向所述處理容器內供給反應氣體；以及

排氣部，其具有能夠調整開度的壓力調整閥，對所述處理容器內的氣體進行排氣，

所述基板處理方法包括重復以下工序的工序：

吸附工序，向所述處理容器內供給原料氣體并使該原料氣體吸附在所述基板上；

第一吹掃工序，對所述吸附工序的剩余的原料氣體進行排氣；

反應工序，向所述處理容器內供給反應氣體來與所述原料氣體進行反應；以及

第二吹掃工序，對所述反應工序的剩余的反應氣體進行排氣，

其中，所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度比所述第一吹掃工序以及/或者所述第二吹掃工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度小。

2.根據(jù)權利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，

所述第一吹掃工序以及/或者所述第二吹掃工序包括低壓工序，在所述低壓工序中，使所述處理空間內的壓力成為比所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的該壓力更低。

3.根據(jù)權利要求2所述的基板處理方法，其特征在于，

在所述第一吹掃工序以及/或者所述第二吹掃工序中，在進行吹掃氣體的供給以及該吹掃氣體的停止后，實施所述低壓工序。

4.根據(jù)權利要求2或3所述的基板處理方法，其特征在于，

所述基板處理裝置還具備供給載氣的載氣供給部，

在所述吸附工序、所述第一吹掃工序、所述反應工序、所述第二吹掃工序中，連續(xù)地供給載氣。

5.根據(jù)權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

所述低壓工序中的所述載氣的供給量比所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載氣的供給量少。

6.根據(jù)權利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，

所述低壓工序中的所述載氣的供給量與所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載氣的供給量相同。

7.根據(jù)權利要求1至6中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

通過使所述載置臺升降來控制所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度。

8.根據(jù)權利要求1至7中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述構件是與所述載置臺相向的噴淋板。

9.根據(jù)權利要求8所述的基板處理方法，其特征在于，

所述噴淋板在其周緣部具有環(huán)狀凸部，

所述載置臺在其周緣部具有包覆構件，

控制所述環(huán)狀凸部的下表面與所述包覆構件的上表面之間的寬度。

10.根據(jù)權利要求1至9中的任一項所述的基板處理方法，其特征在于，

所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度為2.0mm以下。

11.一種基板處理裝置，具備：

處理容器，其具有用于載置基板的能夠升降的載置臺；

構件，其以與所述載置臺的載置面相向的方式配置，在該構件與所述載置臺之間形成處理空間；

原料氣體供給部，其向所述處理容器內供給原料氣體；

反應氣體供給部，其向所述處理容器內供給反應氣體；

排氣部，其具有能夠調整開度的壓力調整閥，對所述處理容器內的氣體進行排氣；以及

控制部，

其中，所述控制部執(zhí)行重復以下工序的工序：

吸附工序，向所述處理容器內供給原料氣體并使該原料氣體吸附在所述基板上；

第一吹掃工序，對所述吸附工序的剩余的原料氣體進行排氣；

反應工序，向所述處理容器內供給反應氣體來與所述原料氣體進行反應；以及

第二吹掃工序，對所述反應工序的剩余的反應氣體進行排氣，

所述控制部進行控制，以使所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度比所述第一吹掃工序以及/或者所述第二吹掃工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度小。