[發明專利]基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 202010500322.8
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112071752A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發明（設計）人: 高橋毅;岡田充弘;藤井康;布重裕;川崎真司;桑田拓岳;高木俊夫
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本公開提供基板處理方法和基板處理裝置。所述方法是基板處理裝置的控制方法，該基板處理裝置具備：處理容器，其具有可升降的載置臺；構件，在該構件與載置臺之間形成處理空間；原料氣體供給部；反應氣體供給部；以及排氣部，其具有能夠調整開度的壓力調整閥，所述方法包括重復以下工序的工序：吸附工序，供給原料氣體并使其吸附于基板；第一吹掃工序，對剩余的原料氣體進行排氣；反應工序，供給反應氣體來與原料氣體進行反應；以及第二吹掃工序，對剩余的反應氣體進行排氣，其中，吸附工序以及/或者反應工序中的載置臺與構件之間的間隙的寬度以及/或者壓力調整閥的開度比第一吹掃工序以及/或者第二吹掃工序中的所述寬度以及/或者所述開度小。

技術領域

本公開涉及一種基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

例如，已知使用TiN膜來作為3DNAND的字線的勢壘金屬。

在專利文獻1中，公開了一種通過氣相沉積系統在基板上形成薄膜的方法，該方法包括：配置階段，在所述氣相沉積系統內配置基板，即，在所述氣相沉積系統中，在所述基板的上方劃分出處理空間；向所述處理空間導入氣體狀的薄膜前體的階段；擴大階段，繼續向所述處理空間導入所述薄膜前體來使所述處理空間的容積從第一尺寸擴大到第二尺寸，來形成擴大處理空間；向所述擴大處理空間導入還原氣體的階段；以及從所述還原氣體形成還原等離子體的階段。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2009-521594號公報

發明內容

發明要解決的問題

在一個方面，本公開提供一種提高階梯覆蓋率的基板處理方法和基板處理裝置。

用于解決問題的方案

為了解決上述問題，根據一個方式，提供一種基板處理方法，其為基板處理裝置的控制方法，該基板處理裝置具備：處理容器，其具有用于載置基板的能夠升降的載置臺；構件，其以與所述載置臺的載置面相向的方式配置，在所述構件與所述載置臺之間形成處理空間；原料氣體供給部，其向所述處理容器內供給原料氣體；反應氣體供給部，其向所述處理容器內供給反應氣體；以及排氣部，其具有能夠調整開度的壓力調整閥，對所述處理容器內的氣體進行排氣，所述基板處理方法包括重復以下工序的工序：吸附工序，向所述處理容器內供給原料氣體并使該原料氣體吸附在所述基板上；第一吹掃工序，對所述吸附工序的剩余的原料氣體進行排氣；反應工序，向所述處理容器內供給反應氣體來與所述原料氣體進行反應；以及第二吹掃工序，對所述反應工序的剩余的反應氣體進行排氣，其中，所述吸附工序以及/或者所述反應工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度比所述第一吹掃工序以及/或者所述第二吹掃工序中的所述載置臺與所述構件之間的間隙的寬度以及/或者所述壓力調整閥的開度小。

發明的效果

根據一個方面，能夠提供一種提高階梯覆蓋率的基板處理方法和基板處理裝置。

附圖說明

圖1是本實施方式所涉及的基板處理裝置的截面示意圖的一例。

圖2是本實施方式所涉及的基板處理裝置的截面示意圖的一例。

圖3是示出本實施方式所涉及的基板處理裝置中的成膜處理的一例的流程圖

圖4是示出本實施方式所涉及的基板處理裝置中的基板處理方法的一例的流程圖。

圖5是說明氣體供給、間隙寬度、APC開度的控制的一例的時序圖。