[發(fā)明專利]一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010499955.1
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111628117B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡璐
• 申請（專利權(quán)）人: 南京華易泰電子科技有限公司
• 主分類號: H10K71/00
• 分類號: H10K71/00;H10K71/15;H10K71/16;H10K50/10
• 代理公司: 深圳紫晴專利代理事務(wù)所(普通合伙) 44646
• 代理人: 林鵬

1.一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：其方法包括如下步驟：

(1)光阻涂覆：首先在OLED基板上涂覆一層光阻層(PR)；

(2)UV曝光：對涂覆光阻層的基板上方，用掩膜版覆蓋，從上方進(jìn)行曝光照射，使曝光區(qū)域下的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，將掩膜版阻擋的部位定義為A區(qū)域；

(3)光阻顯影：OLED基板上被掩膜版阻擋的部位A區(qū)域的光刻膠溶解脫落，暴露出下面的鍍層，對像素定義區(qū)進(jìn)行開孔操作；

(4)蒸鍍OLED功能層：對顯影后的基板進(jìn)行功能層蒸鍍，首先對其蒸鍍紅光功能層，該功能層隨即覆蓋在暴露區(qū)和光阻層(PR)上；

(5)干刻蝕：選取掩膜版對OLED基板上方進(jìn)行遮擋，利用掩膜版對開孔區(qū)域下方的紅光OLED功能層進(jìn)行干法刻蝕，使該區(qū)域的光阻層(PR)裸露出來；

(6)去除光阻層：用剝膜液對經(jīng)過干刻蝕后的OLED基板從上方進(jìn)行噴灑，剝膜液可以順利地在紅光OLED功能層未覆蓋光阻裸露區(qū)域與其相接觸，從而對光阻層(PR)進(jìn)行去除，即可完成對OLED基板表面紅光的制備；

(7)重復(fù)光阻涂覆：在完成紅光制備OLED基板上涂覆一層新的光阻層(PR)，此時紅光被新的光阻層(PR)所覆蓋；

(8)重復(fù)曝光：重復(fù)進(jìn)行步驟(2)中的操作，采用掩膜版進(jìn)行遮擋，再進(jìn)行曝光照射，之后重復(fù)進(jìn)行步驟(3)-(6)中的操作；

(9)重復(fù)制備：在步驟(8)的基礎(chǔ)上，重復(fù)進(jìn)行步驟(1)-(6)的操作，實(shí)現(xiàn)藍(lán)光的制備。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(1)中，所涂覆光阻層的厚度范圍為0.5-5mm，且光阻為負(fù)型，基板為陽極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(2)中，用于曝光的波長為405nm，且該曝光操作為非接觸式。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(4)中，該紅光功能層的厚度范圍為200-400nm，且保證均勻分布，覆蓋的暴露區(qū)即為A區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(5)中，掩膜版遮擋的區(qū)域呈間斷分布，且覆蓋的區(qū)域包含A區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(5)中，干法刻蝕可以為物理性刻蝕、化學(xué)性刻蝕或物理化學(xué)性刻蝕中的任意一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(8)中，掩膜版所遮擋的區(qū)域在紅光區(qū)的側(cè)邊，將該區(qū)域定義為B，且B區(qū)域完成的是綠光的制備。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種OLED制程提高光刻膠剝離效果的方法，其特征在于：所述步驟(9)中，其在進(jìn)行掩膜版遮擋時，遮擋的位置在綠光區(qū)的側(cè)邊，將該區(qū)域定義為C，且A、B、C三個區(qū)域依次相鄰排列，以此完成紅綠藍(lán)三色的制備工作。