[發明專利]存儲器模塊

在審

• 申請號: 202010499778.7
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN112052195A
• 公開（公告）日: 2020-12-08
• 發明（設計）人: 林璇渶
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/0804
• 分類號: G06F12/0804
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邵亞麗

提供了一種支持DRAM高速緩存模式的非易失性雙列直插式存儲器模塊(NVDIMM)以及NVDIMM的操作方法。該NVDIMM包括DRAM芯片、NVM芯片、和控制器，該控制器控制該DRAM芯片作為該NVM芯片的高速緩存存儲器操作。控制器在DRAM芯片的讀取等待時間(RL)和NVM芯片的寫入等待時間(WL)彼此相一致時參考被請求從主機寫入NVM芯片的數據的高速緩存地址而將讀取命令發送到DRAM芯片，并參考被請求寫入的數據的地址而將寫入命令發送到NVM芯片。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年6月5日在美國專利局提交的編號為62/857,562的美國臨時申請和于2019年9月10日在韓國知識產權局提交的編號為10-2019-0112369的韓國專利申請的權益，這些申請的公開內容通過引用全部并入本文。

技術領域

本公開的實施例涉及存儲器系統，并且更具體地，涉及用于支持動態隨機存取存儲器(dynamic random-access memory，DRAM)高速緩存模式的非易失性雙列直插式存儲器模塊(non-volatile dual inline memory module，NVDIMM)以及該NVDIMM的操作方法。

背景技術

在諸如服務器的信息處理設備領域，對高速訪問諸如大數據時代的數據庫(database，DB)的大數據的需求日益增加。對于處理大數據的信息處理設備(諸如服務器)的計算能力，數據加載能力是一個瓶頸。為了進一步提高信息處理設備的性能，可以設想在具有大吞吐量帶的中央處理單元(central processing unit，CPU)存儲器總線上安裝大存儲器。

正在開發一種包括安裝在CPU存儲器總線上的易失性和非易失性存儲器的存儲器模塊。這種類型的存儲器模塊稱為NVDIMM。NVDIMM可以包括易失性存儲器(諸如DRAM)和閃存的組合。或者，NVDIMM可以包括DRAM和可以被重寫的3D交叉點型電阻式存儲器的組合。

NVDIMM具有DRAM的高速處理技術，并且同時具有非易失性存儲器的大容量。隨著對大數據、云、人工智能(artificial intelligence，AI)、高速網絡等的需求增長，NVDIMM正引起人們的關注。

發明內容

本公開的實施例提供了一種用于支持DRAM高速緩存模式的非易失性雙列直插式存儲器模塊(NVDIMM)以及NVDIMM的操作方法。

根據示例實施例的一方面，提供了一種存儲器模塊，該存儲器模塊包括：第一內部數據線；第二內部數據線；連接到第一內部數據線的易失性存儲器芯片；連接到第二內部數據線的非易失性存儲器芯片；控制器，經由第一內部數據線和第二內部數據線連接到易失性存儲器芯片和非易失性存儲器芯片，該控制器被配置為將與易失性存儲器芯片的第一數據相關的第一命令施加到易失性存儲器芯片，并且施加與非易失性存儲器芯片的第二數據相關的第二命令；以及第一數據緩沖器，經由第一內部數據線連接到易失性存儲器芯片和控制器，并且連接到存儲器模塊外部的第二數據緩沖器，其中控制器還被配置為在第一命令的第一等待時間和第二命令的第二等待時間彼此相一致的時間點執行控制，使得：將第一數據從易失性存儲器芯片移動到非易失性存儲器芯片，或者將第二數據從非易失性存儲器芯片移動到易失性存儲器芯片。