[發明專利]半導體組件及其制造方法

有效

• 申請號: 202010499377.1
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111613666B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發明（設計）人: 李浩;鄭浩寧;張安邦
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種半導體組件(100)，包含：

一襯底(102)；

一III-V族層(106)，其設置于所述襯底(102)上;

一經摻雜III-V族層(108)，其設置于所述III-V族層(106)上；

一閘極接觸(114)，其直接位于所述經摻雜III-V族層(108)上，所述閘極接觸(114)具有一第一側(114a)及一第二側(114b)皆遠離所述經摻雜III-V族層(108)；

一第一場板(124)，其具有一第一側(124a)及一第二側(124b)，所述第一場板(124)的所述第一側(124a)較所述第二側(124b)更接近所述閘極接觸(114)的所述第二側(114b)；及

一第二場板(126)，其具有一第一側(126a)及一第二側(126b)，所述第二場板(126)的所述第一側(126a)較所述第二側(126b)更接近所述閘極接觸(114)的所述第二側(114b)；

其中所述第一場板(124)比所述第二場板(126)及所述閘極接觸(114)的所述第一側(114a)及所述第二側(114b)更靠近所述經摻雜III-V族層(108)，

其中所述第二場板(126)的所述第一側(126a)延伸超過所述閘極接觸(114)的所述第二側(114b)，且所述第二場板(126)的所述第一側(126a)延伸超過所述閘極接觸(114)的所述第二側(114b)的一長度為該閘極接觸(114)的一寬度之5%-100%，

其中所述第二場板(126)的所述第一側(126a)與其所述第二側(126b)之間有一凹部，其中所述凹部在所述閘極接觸(114)的所述第二側(114b)與所述第一場板(124)的所述第一側(124a)之間。

2.根據權利要求1所述的半導體組件，其中所述閘極接觸(114)自其第一側(114a)至第二側(114b)與所述第一場板(124)互不重迭。

3.根據權利要求1所述的半導體組件，其中所述第二場板(126)的所述第一側(126a)延伸超過所述第一場板(124)的所述第一側(124a)。

4.根據權利要求1所述的半導體組件，其中所述凹部的寬度為0.2-1?μm之間及其深度小于650?nm。

5.根據權利要求1所述的半導體組件，其更包括一源極接觸(110)及一汲極接觸(112)，其設置于所述III-V族層(106)上。

6.根據權利要求1所述的半導體組件，其更包括一緩沖層(104)設置于所述襯底(102)與所述III-V族層(106)之間。

7.根據權利要求1所述的半導體組件，其更包括一第一鈍化層(116)，設置于所述經摻雜III-V族層(108)上和所述第一場板(124)下。

8.根據權利要求7所述的半導體組件，其中所述第一鈍化層(116)局部地圍繞所述閘極接觸(114)。

9.根據權利要求8所述的半導體組件，其更包括一第二鈍化層(152)，設置于所述第一鈍化層(116)上并且覆蓋所述第一場板(124)；且其中所述第二鈍化層(152)局部地圍繞所述閘極接觸(114)及所述第一場板(124)。

10.根據權利要求9所述的半導體組件，其更包括一第三鈍化層(154)，設置于所述第二鈍化層(152)上并且覆蓋所述閘極接觸(114)；且其中所述第三鈍化層(154)局部地圍繞所述閘極接觸(114)。

11.根據權利要求10所述的半導體組件，其更包括一第四鈍化層(156)，設置于所述第三鈍化層(154)上并且覆蓋所述第二場板(126)；且其中所述第四鈍化層(156)局部地圍繞所述第二場板(126)。