[發明專利]半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202010499349.X
• 申請日: 2020-06-04
• 公開（公告）號: CN111613665A
• 公開（公告）日: 2020-09-01
• 發明（設計）人: 章晉漢;張曉燕;胡凱;郝榮暉;馬俊輝
• 申請（專利權）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/778;H01L21/335
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王允方

本申請實施例公開了一種半導體裝置及其制造方法。半導體裝置包括襯底、設置于所述襯底上且具有第一能帶間隙的第一氮化物半導體層、設置于所述第一氮化物半導體層上且具有第二能帶間隙的第二氮化物半導體層。所述第二能帶間隙大于所述第一能帶間隙。所述半導體裝置還包含位于所述第二氮化物半導體層上的閘極接觸及設置于所述閘極接觸上的第一場板。所述第一場板具有面對所述襯底的第一表面、面對所述襯底的第二表面、及凸出部。所述凸出部具有面對所述襯底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面與所述第二表面之間。

技術領域

本申請涉及半導體裝置及其制造方法，特別是關于具有場板之一射頻半導體裝置及其制造方法。

背景技術

包括直接能隙(direct bandgap)半導體之裝置，例如包括三五族材料或III-V族化合物(Category:III-V compounds)之半導體裝置，由于其特性而可在多種條件或環境(例如不同電壓、頻率)下操作(operate)或運作(work)。

上述半導體裝置可包括異質接面雙極晶體管(heterojunction bipolartransistor，HBT)、異質接面場效晶體管(heterojunction field effect transistor，HFET)、高電子遷移率晶體管(high-electron-mobility transistor，HEMT)，或調變摻雜場效晶體管(modulation-doped FET，MODFET)等。

發明內容

本公開的一些實施例提供一種半導體裝置，其包括襯底、設置于所述襯底上且具有第一能帶間隙的第一氮化物半導體層、設置于所述第一氮化物半導體層上且具有第二能帶間隙的第二氮化物半導體層。所述第二能帶間隙大于所述第一能帶間隙。所述半導體裝置還包含位于所述第二氮化物半導體層上的閘極接觸及設置于所述閘極接觸上的第一場板。所述第一場板具有面對所述襯底的第一表面、面對所述襯底的第二表面、及凸出部。所述凸出部具有面對所述襯底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面與所述第二表面之間。

本公開的一些實施例提供一種半導體裝置，其包括襯底、設置于所述襯底上且具有第一能帶間隙的第一氮化物半導體層、設置于所述第一氮化物半導體層上且具有第二能帶間隙的第二氮化物半導體層。所述第二能帶間隙大于所述第一能帶間隙。所述半導體裝置還包含位于所述第二氮化物半導體層上的閘極接觸及設置于所述閘極接觸上的第一場板。所述第一場板具有第一部分及與所述第一部份連接的第二部分。所述第一部分在大致上平行于所述襯底的表面的方向上與所述閘極接觸隔開。所述第二部分在所述襯底上之投影面積與所述閘極接觸在所述襯底上之投影面積部分重迭。所述第一部分具有第一厚度且所述第二部分具有第二厚度。所述第一厚度大于所述第二厚度。

本公開的一些實施例提供一種半導體裝置，其包括襯底、設置于所述襯底上且具有第一能帶間隙的第一氮化物半導體層、設置于所述第一氮化物半導體層上且具有第二能帶間隙的第二氮化物半導體層。所述第二能帶間隙大于所述第一能帶間隙。所述半導體裝置還包含位于所述第二氮化物半導體層上的閘極接觸及第一場板。所述第一場板具有面對所述襯底的第一表面、面對所述襯底的第二表面、與所述第一表面相對的頂部表面、及延伸于所述第一表面與所述頂部表面之間的側表面。所述側表面面對所述閘極接觸。所述第一場板更具有凸出部。所述凸出部具有面對所述襯底的底部表面。所述底部表面位于所述第一表面與所述第二表面之間。

本公開的一些實施例提供一種半導體裝置之制造方法。所述方法包括提供襯底及在所述襯底上形成具有第一能帶間隙的第一氮化物半導體層。所述方法還包括在所述第一氮化物半導體層上形成第二氮化物半導體層。所述第二氮化物半導體層具有大于所述第一能帶間隙的第二能帶間隙。所述方法還包括在所述第二氮化物半導體層上形成第一場板及在所述第二氮化物半導體層上形成第一介電層覆蓋所述第一場板。所述方法還包括在所述第一介電層上形成閘極接觸及移除所述第一介電層的一部分以在所述閘極接觸與所述第一場板之間形成凹陷部。

附圖說明