[發(fā)明專利]一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置及制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010489233.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111627837B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王新強(qiáng);潘慶波;李娜;楊玉珍;劉文;王丕龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 青島佳恩半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L29/868 |
| 代理公司: | 武漢聚信匯智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 42258 | 代理人: | 馬尚偉 |
| 地址: | 266000 山東省青島市城陽(yáng)*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 恢復(fù) 整流二極管 封裝 裝置 制造 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置及制造方法,包括工作臺(tái)組件、氣壓控制組件和密封機(jī)構(gòu),在氣壓控制組件中設(shè)置真空泵、連接管和進(jìn)氣裝置組件,在工作臺(tái)組件中設(shè)置密封上蓋,在密封機(jī)構(gòu)中設(shè)置密封座、密封氣囊和第四凹槽,通過(guò)開(kāi)啟真空泵,將密封好的密封上蓋與密封座內(nèi)部的空氣抽出,第四凹槽內(nèi)部的空氣被抽出,密封氣囊內(nèi)部氣壓大于密封氣囊外部的氣壓逐漸膨脹,將第四凹槽的縫隙填充,同時(shí)密封第六孔位,保持密封上蓋與密封座的氣密性,防止外部的空氣進(jìn)入到裝置內(nèi)部,從而使封裝裝置具有了保持焊接過(guò)程處于真空環(huán)境,防止焊料表面生成氧化物的效果,避免了焊料冷卻凝結(jié)后形成空洞造成元器件電氣性能差,從而導(dǎo)致良品率低的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及二極管封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置及制造方法。
背景技術(shù)
二極管在進(jìn)行封裝需要對(duì)元器件進(jìn)行焊接,在進(jìn)行焊接時(shí)由于焊料表面生產(chǎn)有氧化物,由氧化物所形成的膜會(huì)阻礙金屬化表面的結(jié)合部相互滲透,留下的縫隙,冷卻凝結(jié)后形成空洞,這種空洞直徑過(guò)小時(shí)對(duì)于元器件的電氣性能影響不是很大,但是在空洞的直徑過(guò)大時(shí)會(huì)嚴(yán)重影響到元器件的電氣性能,甚至?xí)档驮骷牧计仿剩斐稍系睦速M(fèi)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置及制造方法,通過(guò)設(shè)置氣壓控制組件和密封機(jī)構(gòu),在二極管在進(jìn)行封裝進(jìn)行焊接時(shí)將焊接環(huán)境改為真空,避免了氧化物的形成,從而減少了空洞的形成,提高了良品率。
鑒于上述問(wèn)題,本發(fā)明提出的技術(shù)方案是:
一種快恢復(fù)整流二極管的封裝裝置,包括:
工作臺(tái)組件,所述工作臺(tái)組件包括底座、支架、固定板、固定臺(tái)、焊接機(jī)、液壓缸和密封上蓋;
其中,所述支架和所述固定臺(tái)由外至內(nèi)依次安裝于所述底座的頂部,所述固定板安裝于所述支架的頂部,所述液壓缸的安裝于所述固定板的底部,所述密封上蓋安裝于所述液壓缸的底部,所述焊接機(jī)安裝于所述密封上蓋的內(nèi)壁底部,所述固定臺(tái)的頂部開(kāi)設(shè)有第一凹槽,所述密封上蓋的頂部一側(cè)開(kāi)設(shè)有第二凹槽;
氣壓控制組件,所述氣壓控制組件包括真空泵、連接管和進(jìn)氣裝置組件;
其中,所述真空泵安裝于所述固定板的頂部,所述連接管的一端與所述真空泵連通,所述連接管的另一端自上而下貫通所述固定板與所述密封上蓋連通,所述進(jìn)氣裝置組件安裝于所述密封上蓋的頂部一側(cè),所述進(jìn)氣裝置組件包括進(jìn)氣裝置底座、驅(qū)動(dòng)電機(jī)、螺桿、推拉桿、導(dǎo)向塊和密封塊,所述進(jìn)氣裝置底座安裝于所述密封上蓋的頂部一側(cè),所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)安裝于所述進(jìn)氣裝置底座的頂部,所述進(jìn)氣裝置底座的底部開(kāi)設(shè)有第一孔位,所述第一孔位的底部開(kāi)設(shè)有第二孔位,所述第二孔位的底部,開(kāi)設(shè)有第三孔位,所述第二孔位的一側(cè)開(kāi)設(shè)有第三凹槽,所述進(jìn)氣裝置底座的一側(cè)開(kāi)設(shè)有第五孔位,所述推拉桿安裝于所述第二孔位的內(nèi)部,所述推拉桿的一端開(kāi)設(shè)有第四孔位,所述導(dǎo)向塊安裝于所述推拉桿的兩側(cè),所述螺桿的一端安裝于所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)的底部,所述螺桿的另一端貫通所述第三孔位安裝于所述第四孔位的內(nèi)部,所述密封塊設(shè)置于所述第二凹槽的內(nèi)部,所述密封塊安裝于所述螺桿的一端;
密封機(jī)構(gòu),所述密封機(jī)構(gòu)包括密封座和密封氣囊;
其中,所述密封座的內(nèi)部設(shè)置有空腔,所述密封座的頂部開(kāi)設(shè)有第四凹槽,所述第四凹槽的內(nèi)壁一側(cè)開(kāi)設(shè)有第六孔位,所述密封座的一側(cè)開(kāi)設(shè)有第七孔位,所述第七孔位的內(nèi)壁一側(cè)開(kāi)設(shè)有第八孔位,所述密封氣囊安裝于所述密封上蓋的底部。
為了更好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明技術(shù)方案,還采用了如下技術(shù)措施。
進(jìn)一步的,所述密封氣囊的外表面形狀與所述第四凹槽的內(nèi)壁形狀相適配,所述密封氣囊的內(nèi)部為中空結(jié)構(gòu),所述密封氣囊的材料為熱塑性聚氨酯彈性體橡膠。
進(jìn)一步的,所述第六孔位用于連通所述第四凹槽與所述空腔,所述第八孔位用于連通所述第七孔位和所述空腔。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于青島佳恩半導(dǎo)體有限公司,未經(jīng)青島佳恩半導(dǎo)體有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010489233.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:一種射頻同軸連接器
- 下一篇:一種鐵電存儲(chǔ)單元
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





